薄膜技術(shù)ppt課件-在線瀏覽
2025-06-24 13:43本頁(yè)面
【正文】 晶體外延生長(zhǎng)技術(shù) 第 9章：薄膜物理淀積技術(shù) 第 10章：薄膜化學(xué)汽相淀積 第 8章： 晶體外延生長(zhǎng)技術(shù) – SiCl4的氫化還原 ——成核 ——長(zhǎng)大 – 一般認(rèn)為反應(yīng)過(guò)程是多形式的兩步過(guò)程 – 如 : – (1) 氣相中 SiCl4+H2=SiCl2+2HCl – 生長(zhǎng)層表面 2SiCl2=Si+SiCl4 – (2) 氣相中 SiCl4+H2=SiHCl3+HCl – 生長(zhǎng)層表面 SHiCl3+H2=Si+3HCl 在 (111)面上生長(zhǎng) ,穩(wěn)定的是雙層面 ,位置 9比位置 4穩(wěn)定 在一定的襯底溫度下， 4位的原子很容易擴(kuò)散（游離）到 9相應(yīng)的位置，使生長(zhǎng)迅速在橫向擴(kuò)展。 即，可看成是多成核中心的二維生長(zhǎng)。 C時(shí) V（ 111） ~幾百埃 /分 V（ 112） ~幾百微米 /分 – 與熱氧化過(guò)程不同的是，外延時(shí)只有氣相質(zhì)量轉(zhuǎn)移過(guò)程和表面吸附（反應(yīng)）過(guò)程。 10176。 HCl汽相拋光 ? （汽相）外延生長(zhǎng)工藝 – 外延層中的摻雜 在外延反應(yīng)劑中加入摻雜劑 （如： PH PCl PCl AsCl AsHSbCl SbH3和 BBr BCl B2H6等） – 1）摻雜濃度受汽相中的摻雜劑分氣壓控制 00)/( GSifSifPHNPNN??– 2）生長(zhǎng)速率和溫度的影響 為什么溫度升高會(huì)使?jié)舛冉档停? Silicon Vapor Phase Epitaxy Reactors Exhaust Exhaust Exhaust RF heating RF heating Gas inlet Gas inlet Horizonta
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