薄膜cvd技術(shù)ppt課件-在線瀏覽
2025-03-04 10:03本頁面
【正文】 ??CVD原理的特點？ . CVD反應(yīng)室 氣相沉積的反應(yīng)控制模式主要為質(zhì)量輸運控制和表面反應(yīng)控制。 質(zhì)量輸運控制： 工藝容易控制；反應(yīng)溫度較高，生成膜的質(zhì)量較好，但容易引入污染和外延時的自摻雜，可能存在工藝上的不兼容；設(shè)備簡單；生長與氣流有關(guān)，厚度均勻性不易控制。 通過降低反應(yīng)時的總氣壓，可以使 DG（ hG）增加，從而實現(xiàn) 表面反應(yīng)控制。 常壓 CVD （ APCVD） 特點：溫度高，不適宜生長某些鈍化膜 應(yīng)用：較厚的膜生長 生長速率： ~?m/min 低壓 CVD （ LPCVD） 通過降低反應(yīng)時的總氣壓 (~)，可以使 DG（ hG）增加，從而實現(xiàn) 表面反應(yīng)控制。 C)，也能較好地控制厚度和缺陷。 PECVD 為了進一步提高成膜質(zhì)量 ， 進一步降低反應(yīng)溫度和提高生長速率 ， 采用了等離子增強CVD。因而主要用于表面鈍化和隔離介質(zhì)膜工藝。 CVD生長的 SiO2也用于化合物半導(dǎo)體器件。 TEOS（ tetraethoxysilane， or Tetraethyl OrthoSilicate）（ Si(OC2H5)4）四乙基硅氧化膜的主要特點是臺階覆蓋能力好，但生長溫度較高，介電參數(shù)稍差。（ page 145 表、 146頁圖） . PSG和 BPSG膜 在 TEOS氧化中加入少量磷或磷硼源（如：TMPO、 TEB等）可形成 PSG和 BPSG。 . 氮化硅（ Si3N4）和 SiOxNy膜 由于 Si3N4非常穩(wěn)定和雜質(zhì)掩蔽性，在 IC工藝中主要作為掩膜或外層保護膜。 SiOxNy膜是解決這一問題的途徑之一。 （？） 常用 PECVD法： 3SiH2Cl2+7NH3——Si3N4+3NH4Cl+HCl+6H2 用 SiH2Cl2比用 SiH4生長的膜致密。
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