薄膜物理淀積技術(shù)ppt課件-在線瀏覽
2025-06-24 13:44本頁面
【正文】 ttering System Argon Gas flow controller Turbo pump RF generator Matching work Microcontroller operator interface Exhaust Chuck Electrode Target Substrate Blocking capacitor Roughing pump Pressure controller Gas panel – 射頻濺射： 解決絕緣靶材料上的電荷堆積問題和合金材料的組分問題 – 等離子體濺射：低壓（電壓、氣壓） – 磁控濺射：提高離化率、分離非離化離子 – 優(yōu)點：？ –工藝： （組分的控制，界面態(tài)） – 臺階覆蓋： (臺階的應(yīng)用 ) ? . PVD的主要應(yīng)用 PVD技術(shù)主要用于金屬膜的制備 （也可以用于非金屬薄膜材料的生長） 主要金屬材料 連線材料（鋁 Al、鋁銅合金、銅 Cu） 阻擋層金屬（ W、 Ti、 Mo、 Ta等） 硅化物（ Pt、 W、 Ti等） 金屬填充物（ W等） 其它 Silicon and Select Wafer Fab Metals (at 20176。 歐姆電極和連線材料的要求： 電阻率低、穩(wěn)定抗氧化、與基質(zhì)材料的粘接性好、能與各型硅材料形成良好的歐姆接觸、易于光刻、易于鍵合 金屬（ Al）的電阻率、粘附性和可光刻性 幾個物理問題 1）合金的形成 相圖 固溶度 金屬化合金溫度 的選擇 557176。 C 金屬化時， Al/Si界面的滲透主要是 Si向 Al內(nèi)擴散。 Al/SiO2界面的在低溫下可形成一極薄的Al2O3層 3） Al/Si接觸中的尖刺現(xiàn)象 Al向硅中擴散，（
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