薄膜cvd技術(shù)ppt課件(參考版)
2025-01-18 10:03本頁面
【正文】 分解 [CH3]2C2H5N:[AlH3]—DMEAA 200C176。 C分解 a）工藝難點(diǎn)： 純度的保證 —高阻半絕緣性 ~106 ?cm 膜的均勻致密 b）生長(zhǎng)時(shí)適當(dāng)加入一定濃度的氧（ ~15%），形成的 OSIPOS膜的電阻率可提高（ ~108 ?cm） c）摻入氮（ NSIPOS）可提高抗金屬離子和水汽的浸蝕 d） SIPOS膜的表面通常覆蓋一層 SiO2膜 e）加入 PH AsH4和 BH4等可生長(zhǎng)出高電導(dǎo)的摻雜多晶硅 3）摻雜多晶硅在器件中的作用 a） MOS柵的自對(duì)準(zhǔn)工藝 b） MOS感應(yīng)柵 —可讀寫和閃存器件 . 金屬材料 CVD 金屬膜的生長(zhǎng)以物理濺射為基本方法，但由于其方向性，使其臺(tái)階覆蓋能力不好；合金膜和硅化物的組成配比較難控制。 刻蝕：氫氟酸、磷酸、氟基等離子體 Si3N4膜 SiO2膜 Si 濃 HF中的腐蝕速率（埃 /分） 150 50000 緩沖 HF中的腐蝕速率（埃/分） 15 1000 磷酸中的腐蝕速率（埃 /分） 100 10 5 氟基等離子體腐蝕速率（埃/分） 110 20 60 . Al2O3膜 特點(diǎn)： 存在負(fù)電荷效應(yīng)（可制 Al2O3SiO2復(fù)合柵結(jié)構(gòu)MAOS）（？） 抗輻照能力強(qiáng) 抗堿金屬遷移 耐腐蝕性好（包括 NaOH） Al2O3膜也有結(jié)晶化形和無定形兩種 CVD： 2AlCl3+3CO2+3H2—Al2O3+3CO+6HCl 腐蝕：磷酸、氟基等離子體 Al2O3膜的缺點(diǎn)：應(yīng)力大、工藝穩(wěn)定性差、 可光刻性差 . 多晶硅膜 PolySi 1）半絕緣多晶硅膜（ SIPOS）的
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