【摘要】第四單元:薄膜技術第8章:晶體外延生長技術第9章:薄膜物理淀積技術第10章:薄膜化學汽相淀積第8章:晶體外延生長技術–SiCl4的氫化還原——成核——長大–一般認為反應過程是多形式的兩步過程–如:–(1)
2025-05-13 13:43
【摘要】緒論1電子薄膜技術主講教師:徐進辦公室:F410電話:83432236郵箱:緒論2第一堂課主要內容?課程情況介紹?課程考核方式?薄膜材料的定義?薄膜技術的發(fā)展?課程教學內容緒論3課程性質:微電子制造方向專業(yè)課課程特點:內容豐富、概
2025-05-11 02:56
【摘要】薄膜物理與技術教材:唐偉忠.《薄膜材料制備原理、技術及應用》冶金工業(yè)出版社32學時,選修課緒論?薄膜科學的發(fā)展歷史?薄膜的分類?薄膜科學的研究內容?薄膜科學的基本概念?本課程的主要內容?教材及參考書①two-dimensionmateria
2025-05-09 06:00
【摘要】薄膜材料與薄膜技術王成新薄膜材料的簡單分類薄膜材料涂層或厚膜薄膜(1um)(力,熱,磁,生物等)薄膜材料的制備技術薄膜材料的制備技術機械或化學方法真空技術(薄膜)噴涂
2025-01-22 06:34
【摘要】第四章薄膜成膜技術本章重點介紹了常用的薄膜材料性能;干式薄膜成膜方法;電路圖形形成技術等。?常用薄膜材料一、薄膜導體材料導體薄膜的主要用途是形成電路圖形,為半導體元件、半導體芯片、電阻、電容等電路部件提供電極及相互引線,以及金屬化等。應具有以下特性:;,為歐姆連接;、機械強度高;,電氣特性也不發(fā)生
2025-05-18 13:55
【摘要】薄膜的性質薄膜的性質進入20世紀以來.薄膜技術無論在學術上還是在實際應用中都取得了豐碩的成果。其中特別應該指出的是下述三個方面。第一是以防反射膜、干涉濾波器等為代表的光學薄膜的研究開發(fā)及其應用。這種薄膜在學術上有重要意義,同時,具有十分廣泛的實用性,對此人們寄予了很大的希望。
【摘要】第九章:薄膜物理淀積技術MetalLayersinaChipMultilevelMetallizationonaULSIWaferPassivationlayerBondingpadmetalp+SiliconsubstrateViaILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3
2025-05-13 13:44
【摘要】薄膜技術及應用ThinFilmTechnologyandApplications于永強電子科學與應用物理學院微納功能材料與器件研究室《薄膜材料制備原理、技術及應用》唐偉忠,冶金工業(yè)出版社《薄膜物理與技術》楊邦朝,電子科技大學出版社《薄膜物理與技術》
2025-01-23 18:51
【摘要】化學氣相淀積與薄膜工藝ChemicalVaporDeposition&ThinFilmTechnology孟廣耀Tel:3603234Fax:3607627中國科學技術大學材料科學與工程系固體化學與無機膜研究所2.CVD淀積過程的熱力學化學氣相淀積過程的熱力學:回答該CVD系統(tǒng)為什么能
2025-05-11 12:06
【摘要】2022/5/261第二章外延及CVD工藝§1外延工藝一.外延工藝概述?定義:外延(epitaxy)是在單晶襯底上生長一層單晶膜的技術。新生單晶層按襯底晶相延伸生長,并稱此為外延層。長了外延層的襯底稱為外延片。2022/5/262CVD:ChemicalVaporDeposition
2025-05-04 22:58
【摘要】薄膜材料與納米技術ThinFilmMaterials&Nanotechnology北京科技大學材料科學學院唐偉忠Tel:62332475E-mail:課件下載網址:下
2025-05-10 12:08
【摘要】薄膜光學——基礎理論本此課的主要內容?矢量法?對稱膜系的等效折射率?導納圖解法簡介薄膜光學——基礎理論矢量法利用組合導納的遞推法或矩陣法計算膜系的反射率雖然比較嚴格和精確,計算卻較為復雜,其工作量也較大。對于層數(shù)較少的減反射膜可以用矢量法作近似計算
2025-01-21 02:59
【摘要】2022/6/31半導體集成電路封裝技術天津工業(yè)大學主講人:張建新主樓A4152022/6/32課程概況?第1章集成電路芯片封裝概述?第2章封裝工藝流程?第3章厚膜與薄膜技術?第4章焊接材料?第5章印制電路板?第6章元器件與電路板的接合?第7
2025-05-12 18:01
【摘要】薄膜材料與薄膜技術第八章薄膜技術薄膜與高新技術?材料、信息技術與能源稱為現(xiàn)代人類文明的三大支柱。國民經濟的各部門和高技術領域的發(fā)展都不可避免地受到材料發(fā)展的制約或推動。新材料的發(fā)展水平成為了衡量國家技術水平和綜合實力的重要標志。?何謂“新材料”?簡單地說,就是那些新出現(xiàn)或已在發(fā)展中的,在成分、組織、結構、形態(tài)等方面不同于
2025-01-25 02:49
【摘要】石墨烯的CVD法制備???CVD(chemicalvapordeposition):利用甲烷等含碳化合物作為碳源,高溫分解,在基體表面生長成石墨烯。滲碳析碳機制生長機理
2025-05-04 22:17