薄膜cvd技術(shù)ppt課件-文庫吧資料
2025-01-21 10:03本頁面
【正文】 特性和器件工藝作用 是一種近于電中性的半導體材料； 與 Si的界面上的界面態(tài)少； 有獨特機理的表面鈍化作用： a）表面離子沾污的靜電屏蔽 b）提高器件的耐壓水平 利用 SIPOS膜的微弱導電性 ， p+區(qū)所加的負電位傳到 n區(qū)的表面；與 SiO2膜中的正電荷作用相反 ，這種負電位使 Si表面附近的電子濃度減少 ， 從而使耗盡區(qū)的表面電場被削弱 。 氮化硅有結(jié)晶化形和無定形兩種 在器件中常希望無定形氮化硅 （？） 用反應(yīng)濺射法等物理方法和低溫 CVD法 可以制備無定形氮化硅膜，但以 CVD為好。 1） SiO2膜刻蝕的掩蔽 2）離子注入掩蔽膜 3）掩蔽 SiO2膜不能掩蔽的雜質(zhì)，如： Ga、 Zn 4）局部氧化（ LOCOS）掩蔽膜 5）多層布線金屬間的介質(zhì)隔離膜 6）抗堿金屬擴散 但 Si3N4/Si界面的應(yīng)力很大，不宜直接在 Si上生長 Si3N4膜。 PSG和 BPSG膜的特點： 金屬離子吸除作用和低溫熱熔流特性 PSG具有比 SiO2更好的低溫熔流性而用于平坦化工藝， 由于 PSG的穩(wěn)定性較差，且對 Al有腐蝕作用，現(xiàn)多用 BPSG。主要用于抗 Al電遷移的“阻擋層” (?)和深槽的“間隙壁”。 目前在金屬化之前主要采用 TEOSLPCVD，而在金屬化后主要采用 PECVD技術(shù) (?) 。而 PSG已逐步成為主要的表面鈍化表面鈍化膜。 . 薄膜的性質(zhì)及其生長 . SiO2膜 CVD生長的 SiO2膜的質(zhì)量遠不如熱氧化 SiO2膜。由于溫度低，反應(yīng)生成的原子、分子的遷移動能低，容易形成堆積缺陷；因而有些介質(zhì)膜不宜用LP
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