cvd法制備石墨烯ppt課件-文庫吧資料
2025-05-04 22:17本頁面
【正文】 3. 在再結(jié)晶（ Resolidified）的銅基板上生長石墨烯 ? ：將溫度加熱到銅的熔點以上，在液態(tài)的銅基板上生長，但尺寸最大只有200um。繼續(xù)增加供應(yīng)量時，會產(chǎn)生多層石墨烯片層。 目的：減少 Cu基板上的晶格缺陷 （ sharp wrinkles, step edges,defects） 基板上的污點，缺陷都可能成為碳原子的 形核據(jù)點 Low nucleation density is critical for continuous growth of larger graphene crystals. ? 生長速度和邊緣之間的作用可以影響其形貌。 目的：使生長基板平整，趨于各向同性，干凈，降低粗糙度。 基體 ：銅， 20um， C源 ：固態(tài)有機廢物。 ? 生長基體： 主要包含金屬箔，選擇
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