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cvd法制備石墨烯ppt課件-在線瀏覽

2025-06-15 22:17本頁面

　　

【正文】 C量的金屬基體，碳源裂解產(chǎn)生的碳原子在高溫時滲入，溫度降低時，從基體中析出成核，長大成石墨烯。 ? C源：主要為烴類，如（甲烷，乙烯，乙炔），選擇碳源主要考慮：分解溫度，分解速度，分解產(chǎn)物三方面因素。常壓 ? 生長條件 :氣壓低壓（ 105103Pa）超低壓（ 103Pa） CVD三個主要組成因素：高溫 800oC 溫度中溫 600800oC 低溫 600oC 2.閱讀文獻(xiàn) 實(shí)驗(yàn)條件：常壓，高溫。

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