外延及cvd工藝ppt課件-在線瀏覽
2025-06-15 22:58本頁面
【正文】 2. 生長速率 影響外延生長速率的主要因素 ： ?反應(yīng)劑濃度 2022/5/26 6 ?溫度： B區(qū)高溫區(qū)（常選用）， A區(qū)低溫區(qū) 2022/5/26 7 ?氣體流速 :氣體流速大生長加快 2022/5/26 8 ?生長速率還與反應(yīng)腔橫截面形狀和襯底取向有關(guān) 矩形腔的均勻性較圓形腔好。 新生單晶層按襯底晶相延伸生長 ， 并稱此為外延層 。2022/5/26 1 第二章 外延及 CVD工藝 167。 1 外延工藝 一 .外延工藝概述 ?定義 :外延 (epitaxy)是在單晶襯底上生長一層單晶膜的技術(shù) 。 長了外延層的襯底稱為外延片 。晶面間的共價(jià)鍵數(shù)目越多，生長速率越慢。C 5min ?升溫 2 1170186。 C 5m i n( 4) 升溫 2 1 17 0 186。 5~ 8L / m i n T : 1 16 0~1 19 0 186。 時(shí)間隨品種而定( 9) H2沖洗 1 17 0 186。 ?襯底中的雜質(zhì)因揮發(fā)等而進(jìn)入氣流 ， 然后重新返回外延層 ， 稱為 氣相自摻雜 。 2022/5/26 15 同型雜質(zhì) 異型雜質(zhì) 2022/5/26 16 四 . 外延層中的缺陷與檢測 1. 缺陷種類 : 位錯(cuò) 。 2022/5/26 17 2022/5/26 18 2022/5/26 19 2022/5/26 20 2. 2022/5/26 21 漂移規(guī)律 ?{111}面上嚴(yán)重 ,偏離 2~4度 ,漂移顯
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