納米材料導論cvd法-在線瀏覽
2025-01-25 11:40本頁面
【正文】 體電子學院 成都 文獻出處 人工晶體學報 , Journal of Synthetic Crystals, 引 言 ZnO是一種 II2V I族氧化物半導體材料 ,由于它具有寬帶隙、低介電常數(shù)及其它優(yōu)異的光電、壓電特性 , 多年來一直廣泛應用于壓電轉換、透明電極、表面聲波器件、壓敏電阻、濕敏、氣敏傳感器和太陽能電池等諸 多領域 [ 1 ] 。CVD法制備高質量 ZnO納米線及生長機理 作者 唐 斌 , 鄧 宏 ,稅正偉 ,陳金菊 ,韋 敏 英文篇名 Preparation and Growth Mechanism of Wellaligned ZnO Nanowires by Chemical Vapor Deposition 單位 電子科技大學微電子與固體電子學院 。 西南石油大學理學院 。自 1997年 Z. K. Tang等人報道了 ZnO的紫外激射以來 [ 2, 3 ] , ZnO迅速成為研究的熱點。這意味著 ZnO納米線在光電應用方面 具有更優(yōu)越的性能 ,因此制備高質量的 ZnO納米線成為一重要研究方向。 日本的京都大學 [ 6 ]用金屬有機氣相外 延法 (MOVPE)在藍寶石襯底上生成的高質量 ZnO納米棒。北京大學的 Xing等人 [ 8 ]在濕氧條件下蒸發(fā) Zn和 ZnO的混合粉末 , 制備出壁厚為 8～ 20nm的 ZnO納米管。運用化學氣相沉積法 (CVD)制備高質量的 ZnO納米線的報道還很少見。 2 實 驗 襯底采用 n2Si(100) ,先用 HF酸溶液浸蝕 30 s,去離子水清洗干凈再分別在丙酮與酒精溶液中超聲波清洗 2min,然后在Si基片上蒸鍍大約 10nm厚的金膜為催化劑。高純度的 ZnO ( 99. 95 )粉末裝在氧化鋁舟中 ,將氧化鋁舟放入管式爐的恒溫中心位置 , Si基片放在距 ZnO源氣路下游15cm的位置。爐管內保持在 26. 6～ 400kPa的真空度 ,沉積時間 30min,自然冷卻
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