外延及cvd工藝ppt課件(參考版)
2025-05-01 22:58本頁面
【正文】 2022/5/26 29 工藝多樣化： ?具有相反導電類型的外延層，在器件工藝中可形成結和隔離區(qū)； ?薄層外延供器件發(fā)展等平面隔離和高速電路； ?選擇外延可取代等平面隔離工藝來發(fā)展平面隔離； ?絕緣襯底上的多層外延工藝可以發(fā)展三維空間電路 。 Latchup 2022/5/26 28 器件微型化： ? 提高器件的性能和集成度要求按比例縮小器件的橫向和縱向尺寸 。 ? 采用低阻襯底上外延高阻層的外延片 ，則電子 空穴對先進入襯底低阻層 ， 其擴散長度僅 1μ m， 易被復合 ， 它使軟誤差率減少到原來的 1/10。 2022/5/26 25 外延改善 NMOS存儲器電路特性 ?(1)提高器件的抗 軟誤差 能力 ?(2)采用低阻上外延高阻層 ， 可降低源 、漏 n+區(qū)耗盡層寄生電容 ， 并提高器件對襯底中雜散電荷噪聲的抗擾度 ?(3)硅外延片可提供比體硅高的載流子壽命 ， 使半導體存儲器的電荷保持性能提高 。 ?采用 n/p外延片，通過簡單的 p型雜質隔離擴散，便能實現雙極集成電路元器件間的隔離。 b .襯底表面的析出雜質或殘留的氧化物，吸附的碳氧化物導致的 層錯 ； c . 外延工藝引起的外延層中析出 雜質 ； d .與工藝或與表面加工 (拋光面劃痕、損傷 ), 碳沾污等有關，形成的表面 錐體缺陷 (如角錐 體、圓錐體、三棱錐體、小丘 )； e . 襯底 堆垛層錯 的延伸 。 ?氣源或外延系統中的污染雜質進入外延 ，稱為 系統污染 。 C 1 m i n( 10 ) 降溫 6m i n
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