[高等教育]ic工藝技術(shù)6-外延(參考版)
2025-01-18 21:05本頁(yè)面
【正文】 8% 單片爐外延前后的顆粒數(shù) 外延前 個(gè) / C M2 外延后 個(gè) / C M2 外延工藝及設(shè)備的展望 ? 向超薄外延層發(fā)展：淺結(jié)薄外延，低溫低壓外延。 6% 177。 5% ρ = 3 30 177。 3% 177。 4% ρ 3 177。 2% 177。 AMC CENTRORA ASM EPSION2 各大直徑硅片外延爐的生產(chǎn)能力 6” 8” 10” ASM epsilon2 1 1 1 AMC centrura三反應(yīng)室 1*3 1*3 1*3 MTC Ω308 6 3 1 LPE 3061 8 5 各 爐 子 生 產(chǎn) 成 本 比 較01 02 03 04 05 06 04 5 6 7 8硅 片 直 徑美元g2 7810 7700 E2 單片外延爐的一些優(yōu)點(diǎn) 單片外延爐 與筒式外延爐的雜質(zhì)上擴(kuò)散狀況 P B As Sb E P SILO N 2 A M C 7 810 單片爐的外延均勻性 片與片的典型值 片與片間的最大值 爐與爐問(wèn)的典型值 爐與爐間的最大值 T 厚度 177。 ， 6”片產(chǎn)能小 ,為了提高產(chǎn)能采用高的生長(zhǎng)速率 5181。 各爐子性能比較 爐子 4 ” 5 ” 6 ” 8 ” 反應(yīng)室 A M C 7 810 24 12 10 4 單 A M C 7 700 28 18 15 8 單 L P E 20 61S 24 18 10/ 14 8 雙 PR O 5000 35 24 18 8 雙 MT C 77 00K 32 18 15 8 單 片內(nèi)的厚度均勻性 爐內(nèi)的厚度均勻性 爐與爐間的厚度均勻性 0. 1 1 10 10 100 7810 4 % 6% 6% % 6% 15 20% 7700 4 % 6% 6% % 6% 15% 20 61S 3 4% % 1% 2% % 5% PR O 5000 3 4% 2 3% 2 3% 3 5 % 4 6% 5 7% MT C 77 00K 2 3% % 3% 大直徑硅片外延爐 典型代表 ： ASMEpsilon AMC Centrura LPE 3061 MTC308 工藝特點(diǎn)： 、自摻雜小、過(guò)渡區(qū)小、明顯地優(yōu)于多片式爐子。 雙反應(yīng)室：提高爐子利用率，可以緊靠排放占地面積小，生產(chǎn)能力強(qiáng) 6” 500片 /日 最大優(yōu)點(diǎn)：自摻雜少、占地小、產(chǎn)能大 缺點(diǎn)：滑移線難避免、耗氣量大、背面粗糙 2)筒式中低頻加熱 LPE2061S ? 中低頻感應(yīng)加熱、感應(yīng)線圈采用專(zhuān)利的雙向加熱方式，使片子與基座的溫差更小 ? 雙反應(yīng)室，加上使用 IGBT作為加熱發(fā)生器使二個(gè)反應(yīng)室利用率更高，同時(shí)它比紅外燈管的壽命長(zhǎng)，成本低 ? O型圈在鐘罩的下面可減少顆粒，提高表面質(zhì)量 ? 基座和鐘罩經(jīng)特殊設(shè)計(jì)利用率高，產(chǎn)能大、氣流模型好，基座鐘罩間的間距小，趕氣時(shí)間短 ? 自摻雜小過(guò)渡區(qū)窄、可做高阻厚外延 ? 缺點(diǎn)：易產(chǎn)生滑移淺，影響成品率，背面粗草 紅外加熱的筒式外延爐 AMC MTC ? 紅外燈加熱： T片 T基座 滑移線少 ,但自摻雜嚴(yán)重 ? 片子立放表面好 ? 生產(chǎn)量大，設(shè)備
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