ic工藝技術(shù)11-ic制造中的質(zhì)量控制(參考版)
2025-01-10 19:31本頁面
【正文】 低合格率圓片分析（例 2）表面染色后用顯微鏡觀察到 P型電阻區(qū)域 ,NPN與 LPNP等區(qū)域都存在大量氧化堆垛缺陷。重點(diǎn)要控制關(guān)鍵層的缺陷? 設(shè)備決定缺陷數(shù)量和大小分布，工藝和設(shè)計(jì)決定缺陷的敏感度（積分核 K）缺陷密度趨勢圖（例）成品率和芯片面積（例）（二）制造環(huán)境－沾污控制沾污的類型? 顆粒? 金屬雜質(zhì)? 有機(jī)物沾污? 自然氧化層? 靜電釋放顆粒? 懸浮在空氣中的顆粒和黏附在硅片上的顆粒? 顆粒能引起電路的開路和短路? 可以接受的顆粒尺寸是必須小于最小器件特征尺寸的一半? 每步工藝引入到硅片的超過一定尺寸的顆粒數(shù)(PWP)必須受控? 顆粒檢測：激光掃描硅片，檢測顆粒散射的光強(qiáng)及位置金屬雜質(zhì)? 重金屬雜質(zhì) Fe,Ni,Cu,Cr,Ti,W? 堿金屬雜質(zhì) Na,K重金屬雜質(zhì)沾污? 重金屬雜質(zhì)具有深能級，它形成復(fù)合中心．少數(shù)載流子壽命可反映沾污水平? 重金屬雜質(zhì)引起擊穿降低，漏電增加? 重金屬雜質(zhì)來源 硅片，石英管，管道系統(tǒng)，化學(xué)試劑，刻蝕濺射，硅片流轉(zhuǎn)操作過程? 通過測少子壽命的方法（如光電導(dǎo)法）檢測重金屬沾污 光電導(dǎo)法測少子壽命11/etime清洗條件和壽命清洗方法 DCE Life time (uS)SC1 No 273 263 233Yes 231 245 258SC1+SC2 No 1206 1233 1148Yes 1793 1885 1736spv堿金屬雜質(zhì)沾污? 形成氧化物中可動離子電荷，引起表面漏電，開啟電壓變化? 來源：石英器皿，人體，化學(xué)品， 制造工序? 監(jiān)控方法： CV+BT處理氧化層沾污（可動電荷）監(jiān)控Na＋ 可動離子電荷＋ ＋ ＋ ＋x x xx＋ ＋ ＋－ － －K+氧化層陷阱氧化層固定電荷界面陷阱電荷CV法測氧化層電荷V(v)C(pf)Co?VFB VFBQSS=CoVFBQM=Co?VFBPSi靜電釋放 (ESD)? 靜電荷叢一物體向另一物體未經(jīng)控制地轉(zhuǎn)移．電流泄放電壓可以高達(dá)幾萬伏．? 幾個納秒內(nèi)能產(chǎn)生超過 1A峰值電流，可熔化和蒸發(fā)金屬導(dǎo)體連線，擊穿氧化層? 積累電荷的硅片能吸引帶電顆粒和中性顆粒靜電釋放 (ESD)的防止? 防靜電的凈化間材料? 人員和設(shè)備接地? 離子發(fā)射器－使空氣電離－中和硅片上靜電荷（三）工藝設(shè)計(jì)優(yōu)化－試驗(yàn)設(shè)計(jì)試驗(yàn)設(shè)計(jì)? 試驗(yàn)設(shè)計(jì) DOE, Design of Experiments * 在諸多工藝參數(shù)中找出主要因素 * 用較少的工藝試驗(yàn)次數(shù)決定工藝條件? Taguchi法刻蝕試驗(yàn)的全因素試驗(yàn)輸入?yún)?shù) (w) (mTorr) (?C)
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