ic工藝技術6_外延(參考版)
2025-02-23 18:28本頁面
【正文】 2023/1/31 18:57:3018:57:3031 January 2023? 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。 31 一月 20236:57:30 下午 18:57:30一月 21? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。勝人者有力，自勝者強。 一月 2118:57:3018:57Jan2131Jan21? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 2023/1/31 18:57:3018:57:3031 January 2023? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 。 一月 21一月 2118:57:3018:57:30January 31, 2023? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 一月 2118:57:3018:57Jan2131Jan21? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023? 很多事情努力了未必有結果，但是不努力卻什么改變也沒有。 2023/1/31 18:57:3018:57:3031 January 2023? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 。 一月 21一月 2118:57:3018:57:30January 31, 2023? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 一月 2118:57:3018:57Jan2131Jan21? 1故人江海別，幾度隔山川。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 AMC CENTRORAASM EPSION2各大直徑硅片外延爐的生產能力6” 8” 10”ASM epsilon2 1 1 1AMC centrura三反應室1*3 1*3 1*3MTC Ω308 6 3 1LPE 3061 8 5g278107700E2單片外延爐的一些優(yōu)點外延工藝及設備的展望? 向超薄外延層發(fā)展：淺結薄外延，低溫低壓外延。， 6”片產能小 ,為了提高產能采用高的生長速率 5181。各爐子性能比較大直徑硅片外延爐典型代表 ： ASMEpsilon AMC Centrura LPE 3061 MTC308工藝特點：、自摻雜小、過渡區(qū)小、明顯地優(yōu)于多片式爐子。 雙反應室：提高爐子利用率，可以緊靠排放占地面積小，生產能力強 6” 500片 /日 最大優(yōu)點：自摻雜少、占地小、產能大 缺點：滑移線難避免、耗氣量大、背面粗糙2)筒式中低頻加熱 LPE2061S? 中低頻感應加熱、感應線圈采用專利的雙向加熱方式，使片子與基座的溫差更小? 雙反應室，加上使用 IGBT作為加熱發(fā)生器使二個反應室利用率更高，同時它比紅外燈管的壽命長，成本低? O型圈在鐘罩的下面可減少顆粒，提高表面質量? 基座和鐘罩經特殊設計利用率高，產能大、氣流模型好，基座鐘罩間的間距小，趕氣時間短? 自摻雜小過渡區(qū)窄、可做高阻厚外延? 缺點：易產生滑移淺，影響成品率，背面粗草紅外加熱的筒式外延爐 AMC MTC? 紅外燈加熱： T片 T基座 滑移線少 ,但自摻雜嚴重? 片子立放表面好? 生產量大，設備小? 只有單反應室所以利用率低? MTC公司在 AMC78XX的基礎上把爐體加大基座加大，溫度由 3段控制改成 8段控制使產能提高了的 50%均勻性由5%提高到 3%? 該爐子特別適合于電路片的生產，由于不易產生滑移線所以成品率也相對較高，背面較好。片子背面易長多晶。 中
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