硅的異質(zhì)外延ppt課件(參考版)
2025-05-04 22:24本頁(yè)面
【正文】 若襯底溫度太高 ,頂部硅下界面處易形成大量的氧化物沉淀 ,最常用的溫度在 600～ 650℃ 。形成氧化物埋層的臨界劑量大約為 1018? cm2,典型的注入劑量約為2 1018? cm2。(2)減薄器件有源區(qū)硅層到微米甚至亞微米厚 ,這樣就得到了所需的SOI材料 注氧隔離技術(shù) ? 其工藝主要包括：（ 1)氧離子注入 ,在硅表層下產(chǎn)生一個(gè)高濃度的注氧層 。這種工藝存在硅的質(zhì)量轉(zhuǎn)移及熔硅縮球等缺點(diǎn) ,難以得到厚度小于 ,而且易于引入氧、碳等雜質(zhì)。然后在膜上淀積多晶或非晶硅 ,再通過激光束熔化、電子束熔化、區(qū)域熔融或光照熔融等手段使淀積的多晶或非晶硅發(fā)生局部熔融 ,移動(dòng)熔區(qū) ,熔區(qū)前沿的多晶或非晶硅不斷熔化 ,后沿則發(fā)生再結(jié)晶。 ELTRAN法的適用范圍最寬 ， 可根據(jù)用戶要求 ， 提供從幾十納米到幾十微米的硅層和埋氧層 。 要獲得厚的硅層 ， 必須再進(jìn)行外延 ， 即采用 ESIMOX法 。 早期該技術(shù)只能制備厚硅層材料 ，后來隨著 BE Bonding技術(shù)和 CMP（ Chemical Mechanical Polishing） 技術(shù)的發(fā)展 ， 也可以用于制備極薄的頂層硅（ ） 。 以上 4種制備 SOI材料的方法各有所長(zhǎng) ， 使用者可以根據(jù)不同的材料要求 ， 選擇不同的制備方法 。 ?SmartCut技術(shù)是一種智能剝離技術(shù) ? 將離子注入技術(shù)和硅片鍵合技術(shù)結(jié)合在一起 ? 解決了鍵合 SOI中硅膜減薄問題 ， 可以獲得均勻性很好的頂層硅膜 ? 硅膜質(zhì)量接近體硅 。通常包括注入 5 1016 H+ cm2至二氧化硅覆蓋的晶片中，能量為 5 ～ 70 keV。 ?SIMOX材料： ? 最新趨勢(shì)是采用 較小的氧注入劑量 ?顯著改善頂部硅層的質(zhì)量 ?降低 SIMOX材料的成本 ?低注入劑量 (~ 4?1017/cm2)的埋氧厚度?。?00～ 1000197。 采用 SIMOX技術(shù)制備的頂層硅膜通常較薄，為此，人們采用在 SIMOX基片上外延的方法來獲得較厚的頂層硅，即所謂的 ESIMOX（ Epitaxy SIMOX）技術(shù)。 (3)硅膜外延 如果需要加厚表面硅層 則需要在硅上外延一定厚度的硅膜 ?SIMOX技術(shù)優(yōu)點(diǎn)： 制備的硅膜均勻性較好，調(diào)整氧離子注入劑量可使厚度控制在 50～ 400nm的范圍。BE技術(shù) 優(yōu)點(diǎn)： ? 硅膜質(zhì)量高 ? 埋氧厚度和硅膜厚度
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