半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)ppt課件(參考版)
2025-05-09 12:45本頁面
【正文】 周期性勢場： 1)各薄層的晶格周期性勢場； 2）超晶格的周期 性勢場。 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 量子阱與二維電子氣 調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面量子阱 調(diào)制摻雜結(jié)構(gòu)： 異質(zhì)結(jié)界面處的能帶及勢阱 n+AlXGa1XAs(寬禁帶） /iGaAs（窄禁帶） 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 量子阱與二維電子氣 圖 量子阱中電子的能量 圖 三角形勢阱的示意圖 勢阱中的電子能態(tài) 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 量子阱與二維電子氣 異質(zhì)結(jié) 2DEG的電子態(tài)密度與能量的關(guān)系 2DEG的子帶及態(tài)密度 調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面量子阱 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 量子阱與二維電子氣 2DEG的高遷移率特性 （ 1）調(diào)制摻雜結(jié)構(gòu)特點 （ 2） 2DEG的特性 （ 3）應(yīng)用 調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面量子阱 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 量子阱與二維電子氣 雙異質(zhì)結(jié)間的單量子阱結(jié)構(gòu) 雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)： AlxGa1xAs/GaAs /AlxGa1xAs，要求 GaAs層足夠薄； 導(dǎo)帶量子阱中的電子能態(tài) （ 1）電子在量子阱中的勢能 V（ z） （ 2）求解薛定諤方程 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 量子阱與二維電子氣 雙異質(zhì)結(jié)間的單量子阱結(jié)構(gòu) 價帶量子阱中的空穴能態(tài) （ 1）二維空穴氣： 2DHG （ 2）量子阱中的空穴能態(tài) 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 第三章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié) ? 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 ? 量子阱與二維電子氣 ? 多量子阱與超晶格 ? 半導(dǎo)體應(yīng)變異質(zhì)結(jié) 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 多量子阱與超晶格 超晶格：幾種成分或摻雜類型不同的超薄層周期性地重疊， 構(gòu)成一種特殊的人工晶體。如量子力學(xué)中的一維方勢阱、有限勢阱。 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 pn結(jié)的超注入現(xiàn)象 異質(zhì) pn結(jié)的注入特性 1）超注入現(xiàn)象：由寬禁帶半導(dǎo)體 注入到窄禁帶半導(dǎo)體中的少子濃度 超過了寬禁帶半導(dǎo)體中多子濃度。 早期的 HBT： nAlxGa1xAs/pGaAs作發(fā)射結(jié)； 優(yōu)良的 HBT： ， GaAs襯底； ΔEv =ΔEc =,即空穴的勢壘高， Jp小，故注入比和
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