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半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)ppt課件-展示頁

2025-05-15 12:45本頁面
  

【正文】 21 2 1 21ssa a a aL S L SNL S a a a a????? ? ?????6)單位面積的懸掛鍵數(shù) 圖 (張)應(yīng)變 Si示意圖 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 圖 半導(dǎo)體能帶邊沿圖 圖 孤立的 n型和 p型半導(dǎo)體能帶圖 異質(zhì)結(jié)的能帶圖 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 異質(zhì)結(jié)的能帶圖 圖 形成異質(zhì)結(jié)之前 (a)和之后 (b)的平衡能帶圖 (以突變異質(zhì)結(jié)為例) (a) (b) 1)突變反型異質(zhì)結(jié)能帶圖 不考慮界面態(tài)時的能帶圖(理想狀態(tài)) 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 熱平衡下的能帶圖 ( pGaAs/NAlGaAs) 圖 同質(zhì) pn結(jié)平衡能帶圖 圖 異質(zhì)結(jié) pn平衡能帶圖 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 熱平衡下的能帶圖 圖 np異質(zhì)結(jié)平衡能帶圖 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 Anderson定則(模型): 異質(zhì)結(jié)平衡能帶的特點(diǎn): ① 能帶發(fā)生彎曲 ② 能帶在界面處不連續(xù),有突變。 ① Δ EC=χ 1χ 2 ② Δ EV=(Eg2Eg1)(χ 1χ 2) = Δ Eg Δχ ③ Δ EC+Δ EV = Δ Eg 異質(zhì)結(jié)能帶的新要點(diǎn) (特征): 圖 Anderson模型的 Δ EC Δχ 關(guān)系 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 異質(zhì)結(jié)的能帶圖 2)突變同型異質(zhì)結(jié)能帶圖 突變同型 nn異質(zhì)結(jié)平衡能帶圖 界面處:一側(cè)形成耗盡層,一側(cè)形成電子(空穴)積累層 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 異質(zhì)結(jié)的能帶圖 2)突變同型異質(zhì)結(jié)能帶圖 突變同型 pp異質(zhì)結(jié)平衡能帶圖 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 考慮界面態(tài)時的能帶圖 1)界面態(tài) 2)界面態(tài)密度 Δ NS 異質(zhì)結(jié)的能帶圖 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 考慮界面態(tài)時的能帶圖 3)降低界面態(tài) 4)界面態(tài)的類型 5)巴丁極限 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 考慮界面態(tài)時的能帶圖 6)考慮界面態(tài)影響的異質(zhì)結(jié)能帶示意圖 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianyin
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