半導體p-n結,異質結和異質結構(參考版)
2025-05-02 04:03本頁面
【正文】 可知添加 SiC緩沖層進一步弱化了 pSi(p)的摻雜特性，使得 ZnO/pSi異質結光電譜呈現(xiàn)出一些 ZnO/nSi異質結光電譜的特征。 后面四條曲線從 450nm到 600nm區(qū)間的圖形非常一致。圖中樣品 (1)所用襯底的是 nSi，其他的都是 pSi， P－ E曲線的差異產生應當與這有關，但具體原因還有待進一步考證。第二組光電響應強度遠高于第一組，是由于表面金屬膜厚差異太大。用 Yokogama 3036 X/Y recorder記錄異質結兩端的光生電壓隨入射波長的變化。 第一組樣品的 I－ V曲線 第二組樣品的 I－ V曲線 光生伏特效應 采用 HITACHI M850熒光分光光度計產生入射光測量異質結零偏壓下光譜響應特性，其準確有效的波長范圍 200～ 600nm，準確度 177。除樣品 B外其他樣品正向曲線都很陡峭。圖中可見樣品 (1)、 (4)具有很好的反向特性 —— 很小的反向漏電流，其他器件的反向漏電流都很大而且隨反偏壓增大迅速增強，反向曲線呈阻性。器件結構如圖 第二組樣品 A、 B器件結構 第二組樣品 C器件結構 I－ V特性 所有樣品中 (1)、 (4) 是以 ZnO作為異質結的正向端，其余的則相反。最后將樣品放在 N2氣氛中 530℃ 高溫下退火 15min。（注：制備第二組樣品時 PLD工藝相關參數(shù)，沒有特別注明的部分默認為與第一組的參數(shù)相同。cm。初步測試后切片，背底固定到 Al電極， 引線焊接 ，封裝。接著表面蒸 Al， Al膜厚約 1μm，再在有源區(qū)反刻圓形 Al（稍大于ZnO圖形）。 PLD工藝采用德國 Lamda Physik公司的 LPXKRF受激準分子激光器 (excimer laser)，輸出波長為 248 nm，脈寬 20ns，頻率 5Hz，功率 200mj/pulse， 通過透鏡以 45度角聚焦在靶上，靶材為高純 ZnO陶瓷靶，直徑 32mm。干燥后光刻出圓形有源區(qū)，圓孔直徑為 500μm。cm。cm。cm。cm。 樣品制備 第 一 組 ZnO/Si異質結樣品 (1)～ (4)： 準備四種不同表面摻雜的 Si材料作為襯底。 若干半導體雜質摻雜的一些考慮 12 關于 Au/ZnO/Si異質結能帶結構 4 .9 5mWeV14 . 3 5XeV14 . 5SWeV25 .1SWeV24 . 0 5XeV0E2cE2E?2iE1cE1iE1E?Au n Z n O? p S i?FmEFnEFpE器件結構圖 Au/nZnO/pSi 新型肖特基結 異質結構 紫外增強光電晶體管 ?新型肖特基結 異質結 紫外增強光電晶體管 ， 半導體學報英文版刊登認為論文有新意 ， 并在重要位置 （ 第二篇 ） 刊登 ? 該新型光電探測器增強了 Si光電探測器在紫外 （ UV） 波長的響應靈敏度 ， 具有重要研究價值 CV characteristics of Au/nZnO SBD eVeVxW mns )(1 ??????Au/nZnO SBD Photocurrent response with optical wavelength 不同襯底 Si材料的 ZnO異質結 IV及光電特性研究 采用 PLD技術和微電子平面工藝，用不同
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