半導體p-n結,異質結和異質結構(完整版)
【正文】 min， 10－ 4Pa真空；然后在所有樣品表面一起用 PLD方法生成 ZnO薄膜， PLD參數(shù)： A、靶材為純 ZnO，溫度 550℃ ，轟擊時間 15min， 10－ 4Pa真空； B、靶材為 ZnO（ ％ Mn），溫度 550℃ ，轟擊時間 15min， ； C、靶材為 ZnO（ ％ Mn），溫度550℃ ，轟擊時間 60min， 。然后采用 PLD技術在樣品表面制備高質量 ZnO薄膜。樣品 (2)p+111， ρ= 激光 二極管： 半導體 激光 二極管的基本構造，與發(fā)光組件極為類似，只不過 激光 是二極管必須考慮到受激發(fā)光 與共振的條件。 研究較多的 是 GaAs 化合物、 SiGe之類的半導體合金 ,目前按異質結中兩種材料導帶和價帶的對準情況可以把異質結分為 Ⅰ 型異質結和 Ⅱ 型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構如圖所示。 5. 將半導體的光電效應與 PN結相結合還可以制作多種光電器件。它的電容量隨外加電壓改變 ,反向時電容減小正向時電容增大 . PN結的反向電壓特性及電容特性 半導體同質 pn結 ,異質結的形成 采用不同的摻雜工藝 ,將 P型半導體與 N型半導體制作在同一塊半導體上 ,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱 PN結。由于有較高能量的自由電子的進入導致原來在帶隙中的費米能級逐漸向上移。在一定條件下使價帶中的電子獲得能量躍遷到導帶中，在價帶中形成空穴，在導帶中出現(xiàn)電子時，半導體導電。 非本征半導體 :是摻雜的半導體。這就是 PN結的單向導電性。 制造異質結通常采用外延生長法 。依照兩種材料的導電類型分同型異質結（ Pp結或 Nn結）和異型異質 (Pn或 pN)結。然 而在異質結構中，可將雜質加在兩邊的夾層中，該雜質所貢獻的電子會掉到中間層，因其有較低的能量（如圖所示），因此在空間上，電子與雜質是分開的，所以電子的行動就不會因雜質的碰撞而受到限制，因此其遷移率就可以大大增加，這是高速組件的基本要素。 樣品制備 第 一 組 ZnO/Si異質結樣品 (1)～ (4)： 準備四種不同表面摻雜的 Si材料作為襯底。cm。初步測試后切片，背底固定到 Al電極， 引線焊接 ，封裝。器件結構如圖 第二組樣品 A、 B器件結構 第二組樣品 C器件結構 I－ V特性 所有樣品中 (1)、 (4) 是以 ZnO作為異質結的正向端，其余的則相反。用 Yokogama 3036 X/Y recorder記錄異質結兩端的光生電壓隨入射波長的變化?？芍砑?SiC緩沖層進一步弱化了 pSi(p)的摻雜特性，使得 ZnO/pSi異質結光電譜呈現(xiàn)出一些 ZnO/nSi異質結光電譜的特征。第二組光電響應強度遠高于第一組，是由于表面金屬膜厚差異太大。圖中可見樣品 (1)、 (4)具有很好的反向特性 —— 很小的反向漏電流，其他器件的反向漏電流都很大而且隨反偏壓增大迅速增強，反向曲線呈阻性。cm。干燥后光刻出圓形有源區(qū)，圓孔直徑為 500μm。cm。半導體異質結構發(fā)光組件，相較其它發(fā)光組件，具有高效率、省電、耐用等優(yōu)點，因此應用廣泛。 異質結的能帶結構 半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。 1. 用 PN結單向導電性可以制作整流二極管、檢波二極管和開關二極管， 2. 利用擊穿特性制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管； 3.
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