【總結(jié)】第八章半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)第八章半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)第八章半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)重點:?表面空間電荷層的性質(zhì)(表面電場效應(yīng))?MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性(理想和非理性MOS電容)多子堆積狀態(tài)平帶狀態(tài)多子耗盡狀態(tài)少子反型狀態(tài)?硅–二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
2025-05-13 03:16
【總結(jié)】§pn結(jié)的擊穿pn結(jié)的擊穿(Breakdown):當(dāng)加到反向pn結(jié)上的電壓足夠高時,pn結(jié)反向飽和電流會突然增大,此時的電壓稱反向擊穿電壓VB。電擊穿、熱擊穿。pn結(jié)電擊穿有兩種重要的機制:雪崩倍增和隧道效應(yīng)。一、雪崩(avalanche)倍增pn結(jié)在反向偏置下,外加電場的方向和空間電荷區(qū)自建電場方向一致,空間電荷
2025-05-09 09:59
【總結(jié)】第四章Pn結(jié)二極管光電半導(dǎo)體實驗室主要內(nèi)容?P-N結(jié)的靜電學(xué)?載流子注入(載流子濃度與電壓的關(guān)系)?準(zhǔn)中性區(qū)內(nèi)的擴散電流?P-N結(jié)的暗特性?光照特性?太陽能電池的輸出參數(shù)?有限電池尺寸對I0的影響(自學(xué))§1P-N結(jié)的靜電學(xué)一、基本物理特性1.pp>>pn,n
2025-05-12 05:08
【總結(jié)】PN結(jié)的擊穿西南科技大學(xué)理學(xué)院PN結(jié)的擊穿一、擊穿現(xiàn)象當(dāng)PN結(jié)的反向電壓增大到某一值VB時,反向電流會突然變得很大,這種現(xiàn)象叫做PN結(jié)的反向擊穿,VB稱為擊穿電壓。VB反向電壓0反向電流二、雪崩擊穿1、雪崩擊穿現(xiàn)象(1)碰撞電離和碰撞
2025-05-10 19:10
【總結(jié)】第7章金屬和半導(dǎo)體的接觸金屬半導(dǎo)體接觸及其能級圖金屬半導(dǎo)體接觸整流理論少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸金屬半導(dǎo)體接觸及其能級圖1一、功函數(shù)和電子親合能真空能級E0:真空中靜止電子的能量電子親和能χ:真空能級與導(dǎo)帶底之差(導(dǎo)帶底電子逸出體外的最小能量)半導(dǎo)體中的功函數(shù)和電子親和能金屬中的功函數(shù)
2025-05-02 06:00
【總結(jié)】第七章金屬和半導(dǎo)體的接觸林碩E-mail:§金屬半導(dǎo)體接觸及其能帶圖本章內(nèi)容提要?金半接觸及其能級圖?整流特性?少子注入和歐姆接觸金屬—半導(dǎo)體接觸整流接觸:微波技術(shù)和高速集成電路歐姆接觸:電極制作成為界面物
2025-08-05 16:17
【總結(jié)】第七章半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)SemiconductorsurfaceandMISstructureSemiconductorPhysics主要內(nèi)容及要求(10課時):*了解表面態(tài)的概念和來源;*理解并掌握熱平衡下理想MIS結(jié)構(gòu)中半導(dǎo)體的表面電場效應(yīng),包括表面勢、表面空間電荷區(qū)的電場、電勢和電
2025-04-29 04:28
【總結(jié)】半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識-PN結(jié)原理一、半導(dǎo)體概念導(dǎo)體:自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體,金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體:有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電,稱為絕緣體,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體:另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間,稱為半導(dǎo)體
2025-05-05 18:20
【總結(jié)】MATLAB程式設(shè)計入門篇異質(zhì)陣列張智星(RogerJang)臺大資工系多媒體檢索實驗室MATLAB程式設(shè)計入門篇:異質(zhì)陣列本章重點?異質(zhì)陣列(CellArrays)?MATLAB在第五版之後才支援的資料型態(tài)?主要功能?將不同的資料型態(tài)儲存於同一個陣列之中?本章重點
2025-07-17 15:45
【總結(jié)】溶膠-凝膠技術(shù)Sol-Geltechnique一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點二、溶膠-凝膠法采用的原料三、溶膠-凝膠過程的主要反應(yīng)四、溶膠-凝膠法制備薄膜及涂層材料一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點溶膠-凝膠法基本名詞術(shù)語(precursor):所用的起始原料。(metal
2025-08-15 20:59
【總結(jié)】第二章半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷理想半導(dǎo)體:1、原子嚴(yán)格周期性排列,具有完整的晶格結(jié)構(gòu)。2、晶體中無雜質(zhì),無缺陷。3、電子在周期場中作共有化運動,形成允帶和禁帶——電子能量只能處在允帶中的能級上,禁帶中無能級。?本征半導(dǎo)體——晶體具有完整的(完美的)晶格結(jié)構(gòu),無任何雜質(zhì)和缺陷。由本征激發(fā)提供載流子。
2025-05-12 20:52
【總結(jié)】國際貿(mào)易新理論旳發(fā)展綜述行業(yè)間貿(mào)易行業(yè)內(nèi)貿(mào)易戰(zhàn)后新貿(mào)易理論的起源與發(fā)展過程D-S模型(CES效用函數(shù))PP-ZZ模型(krugman新貿(mào)易理論)由行業(yè)間貿(mào)易向行業(yè)內(nèi)貿(mào)易發(fā)展,給由資源稟賦差異形成的比較優(yōu)勢主導(dǎo)的貿(mào)易理論轉(zhuǎn)化為以規(guī)模
2025-03-09 19:11
【總結(jié)】異質(zhì)結(jié)發(fā)展現(xiàn)狀及原理pn結(jié)是組成集成電路的主要細胞。50年代pn結(jié)晶體管的發(fā)明和其后的發(fā)展奠定了這一劃時代的技術(shù)革命的基礎(chǔ)。pn結(jié)是在一塊半導(dǎo)體單晶中用摻雜的辦法做成兩個導(dǎo)電類型不同的部分。一般pn結(jié)的兩邊是用同一種材料做成的(例如鍺、硅及砷化鎵等),所以稱之為“同質(zhì)結(jié)”。如果把兩種不同的半導(dǎo)體材料做成一塊單晶,就稱之為“異質(zhì)結(jié)“。結(jié)兩邊的導(dǎo)電類型由摻雜來控制,摻雜類型相同的為“同型異質(zhì)結(jié)”
2025-06-23 20:08
【總結(jié)】第八章金屬和半導(dǎo)體的接觸§8.1金屬半導(dǎo)體接觸及能級圖1.金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)金屬中的電子絕大多數(shù)所處的能級都低于體外能級。金屬功函數(shù)的定義:真空中靜止電子的能量E0與金屬的EF能量之差,即0()mFmWEE??上式表示一個起始能量等于費米能級的電子,由金屬內(nèi)部逸出到真空中所
2025-05-10 22:31
【總結(jié)】半導(dǎo)體化學(xué)Doctor湯LatticePower(Jiangxi)Corporation1什么是半導(dǎo)體化學(xué)?研究半導(dǎo)體材料的制備、分析以及半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)工藝中的特殊化學(xué)問題的化學(xué)分支學(xué)科。LatticePower(Jiangxi)Corporation半導(dǎo)體材料?元素半導(dǎo)體,如硅(Si)、鍺
2025-08-01 17:58