半導(dǎo)體p-n結(jié),異質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)構(gòu)-資料下載頁
2025-04-29 04:03本頁面
【正文】 和 ZnO，反刻出圓形圖案，圓孔直徑 500μm。最后將樣品放在 N2氣氛中 530℃ 高溫下退火 15min。初步測(cè)試后 切片，背底固定到 Al電極，引線焊接 ，封裝。器件結(jié)構(gòu)如圖 第二組樣品 A、 B器件結(jié)構(gòu) 第二組樣品 C器件結(jié)構(gòu) I－ V特性 所有樣品中 (1)、 (4) 是以 ZnO作為異質(zhì)結(jié)的正向端，其余的則相反。這是因?yàn)?PLD制成的ZnO為弱 n型，而樣品 (1)、 (4)襯底為 nSi，其他為 pSi。圖中可見樣品 (1)、 (4)具有很好的反向特性 —— 很小的反向漏電流，其他器件的反向漏電流都很大而且隨反偏壓增大迅速增強(qiáng)，反向曲線呈阻性。樣品 A因?yàn)?SiC緩沖層的存在，具有很高的反向擊穿電壓。除樣品 B外其他樣品正向曲線都很陡峭。樣品 B正反向曲線都不理想且具有較高的開啟電壓。 第一組樣品的 I－ V曲線 第二組樣品的 I－ V曲線 光生伏特效應(yīng) 采用 HITACHI M850熒光分光光度計(jì)產(chǎn)生入射光測(cè)量異質(zhì)結(jié)零偏壓下光譜響應(yīng)特性，其準(zhǔn)確有效的波長范圍 200～ 600nm，準(zhǔn)確度 177。 ，各波長出射功率均為 。用 Yokogama 3036 X/Y recorder記錄異質(zhì)結(jié)兩端的光生電壓隨入射波長的變化。 對(duì)比曲線易知，第一組三種樣品的光生電壓強(qiáng)度從大到小依次是 (2)、(1)、 (3)，其中 pSi(p+)襯底的樣品 (2)光電響應(yīng)明顯比較強(qiáng)； nSi(n)襯底的樣品 (1)光電響應(yīng)強(qiáng)度略高于 pSi(p)襯底的樣品 (3)，但還需考慮制備工藝粗糙帶來的誤差（切片大小不均勻，壓焊電極時(shí)對(duì)金屬膜的影響，分別制備的 ZnO存在的差異等）；第二組樣品 A的響應(yīng)遠(yuǎn)強(qiáng)于樣品 B，應(yīng)該是樣品B中 ZnO的非晶態(tài)導(dǎo)致遷移率降低的緣故。第二組光電響應(yīng)強(qiáng)度遠(yuǎn)高于第一組，是由于表面金屬膜厚差異太大。 容易發(fā)現(xiàn)，相比其他幾種樣品，樣品 (1)的 P－ E曲線有明顯的差別，最強(qiáng)峰在 417nm，在 261nm有峰的存在， 323nm峰被加強(qiáng)， 468nm峰被抑制，在波長大于 470nm的區(qū)域仍然有強(qiáng)而且平緩的光生電壓；而其他幾種樣品的 P－ E曲線圖形比較一致，最強(qiáng)峰在 470nm左右，對(duì) 470nm之后光的響應(yīng)隨著波長的增大而迅速減弱，但還存在幾個(gè)很小的峰。圖中樣品 (1)所用襯底的是 nSi，其他的都是 pSi， P－ E曲線的差異產(chǎn)生應(yīng)當(dāng)與這有關(guān)，但具體原因還有待進(jìn)一步考證。從圖中可以很明顯地看到，樣品 (1)在增強(qiáng)了對(duì)紫外光探測(cè)性能的同時(shí)，保持了對(duì)可見光的靈敏度，更適合作為大波段區(qū)間的光探測(cè)器。 后面四條曲線從 450nm到 600nm區(qū)間的圖形非常一致。但相對(duì)于樣品 (2)、 (3)，在樣品 A、 B中 360nm、 470nm峰被抑制， 420nm峰被加強(qiáng)，觀察到了 325nm峰的存在，這些特征跟圖 (1)相似。可知添加 SiC緩沖層進(jìn)一步弱化了 pSi(p)的摻雜特性，使得 ZnO/pSi異質(zhì)結(jié)光電譜呈現(xiàn)出一些 ZnO/nSi異質(zhì)結(jié)光電譜的特征。 采用 Au/nZnO/pSiC 肖特基 /異質(zhì)結(jié)的 UV光電探測(cè)器的研究 新型結(jié)構(gòu)的 Au/nZnO/pSiC紫外探測(cè)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)剖面圖，在 pSiC襯底上外延生長 nZnO作為異質(zhì)結(jié)構(gòu)，再電子束蒸發(fā) Au作肖特基結(jié)構(gòu) ,紫外探測(cè)靈敏度是 SBD結(jié)構(gòu)的 5倍 不同偏壓下的紫外光電響應(yīng)曲線 200400nm，光電響應(yīng)靈敏度隨偏壓的升高，在 12V左右，有非常平坦的響應(yīng) 半導(dǎo)體光電探測(cè)器的若干結(jié)構(gòu)類型
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