半導體p-n結,異質結和異質結構-資料下載頁
2025-04-29 04:03本頁面
【正文】 和 ZnO，反刻出圓形圖案，圓孔直徑 500μm。最后將樣品放在 N2氣氛中 530℃ 高溫下退火 15min。初步測試后 切片，背底固定到 Al電極，引線焊接 ，封裝。器件結構如圖 第二組樣品 A、 B器件結構 第二組樣品 C器件結構 I－ V特性 所有樣品中 (1)、 (4) 是以 ZnO作為異質結的正向端，其余的則相反。這是因為 PLD制成的ZnO為弱 n型，而樣品 (1)、 (4)襯底為 nSi，其他為 pSi。圖中可見樣品 (1)、 (4)具有很好的反向特性 —— 很小的反向漏電流，其他器件的反向漏電流都很大而且隨反偏壓增大迅速增強，反向曲線呈阻性。樣品 A因為 SiC緩沖層的存在，具有很高的反向擊穿電壓。除樣品 B外其他樣品正向曲線都很陡峭。樣品 B正反向曲線都不理想且具有較高的開啟電壓。 第一組樣品的 I－ V曲線 第二組樣品的 I－ V曲線 光生伏特效應 采用 HITACHI M850熒光分光光度計產生入射光測量異質結零偏壓下光譜響應特性，其準確有效的波長范圍 200～ 600nm，準確度 177。 ，各波長出射功率均為 。用 Yokogama 3036 X/Y recorder記錄異質結兩端的光生電壓隨入射波長的變化。 對比曲線易知，第一組三種樣品的光生電壓強度從大到小依次是 (2)、(1)、 (3)，其中 pSi(p+)襯底的樣品 (2)光電響應明顯比較強； nSi(n)襯底的樣品 (1)光電響應強度略高于 pSi(p)襯底的樣品 (3)，但還需考慮制備工藝粗糙帶來的誤差（切片大小不均勻，壓焊電極時對金屬膜的影響，分別制備的 ZnO存在的差異等）；第二組樣品 A的響應遠強于樣品 B，應該是樣品B中 ZnO的非晶態(tài)導致遷移率降低的緣故。第二組光電響應強度遠高于第一組，是由于表面金屬膜厚差異太大。 容易發(fā)現(xiàn)，相比其他幾種樣品，樣品 (1)的 P－ E曲線有明顯的差別，最強峰在 417nm，在 261nm有峰的存在， 323nm峰被加強， 468nm峰被抑制，在波長大于 470nm的區(qū)域仍然有強而且平緩的光生電壓；而其他幾種樣品的 P－ E曲線圖形比較一致，最強峰在 470nm左右，對 470nm之后光的響應隨著波長的增大而迅速減弱，但還存在幾個很小的峰。圖中樣品 (1)所用襯底的是 nSi，其他的都是 pSi， P－ E曲線的差異產生應當與這有關，但具體原因還有待進一步考證。從圖中可以很明顯地看到，樣品 (1)在增強了對紫外光探測性能的同時，保持了對可見光的靈敏度，更適合作為大波段區(qū)間的光探測器。 后面四條曲線從 450nm到 600nm區(qū)間的圖形非常一致。但相對于樣品 (2)、 (3)，在樣品 A、 B中 360nm、 470nm峰被抑制， 420nm峰被加強，觀察到了 325nm峰的存在，這些特征跟圖 (1)相似?？芍砑?SiC緩沖層進一步弱化了 pSi(p)的摻雜特性，使得 ZnO/pSi異質結光電譜呈現(xiàn)出一些 ZnO/nSi異質結光電譜的特征。 采用 Au/nZnO/pSiC 肖特基 /異質結的 UV光電探測器的研究 新型結構的 Au/nZnO/pSiC紫外探測器內部結構剖面圖，在 pSiC襯底上外延生長 nZnO作為異質結構，再電子束蒸發(fā) Au作肖特基結構 ,紫外探測靈敏度是 SBD結構的 5倍 不同偏壓下的紫外光電響應曲線 200400nm，光電響應靈敏度隨偏壓的升高，在 12V左右，有非常平坦的響應 半導體光電探測器的若干結構類型
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