半導體p-n結(jié),異質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)構(gòu)-免費閱讀
【正文】 從圖中可以很明顯地看到，樣品 (1)在增強了對紫外光探測性能的同時，保持了對可見光的靈敏度，更適合作為大波段區(qū)間的光探測器。樣品 B正反向曲線都不理想且具有較高的開啟電壓。）再將所有樣品表面蒸金，膜厚約 45nm，套刻 Au和 ZnO，反刻出圓形圖案，圓孔直徑 500μm。抽真空至 10－ 4Pa后，通入 O2至 20Pa，在 700℃ 下轟擊靶材 60min，生成 ZnO薄膜厚約 800nm，并在 有源區(qū)反刻出圓形 ZnO（稍大于有源區(qū)圖形）。樣品 (3)p111， ρ=此外，兩旁夾層的折射率與中間層不同，因而可以將光局限在中間層，致使光不會流失，而增加激光強度，異質(zhì)結(jié)構(gòu)很適合制作激光器，有很大的優(yōu)點。如圖 所述的是利用半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)所作成的半導體激光器 基本特性： 量子效應(yīng)： 因中間層的能階較低，電子很容易掉落下來被局限在中間層，而中間層可以只有幾 nm的厚度，因此在如此小的空間內(nèi)，電子的 特性會受到量子效應(yīng)的影響而改變。 8. 利用兩個 PN結(jié)之間的相互作用可以產(chǎn)生放大，振蕩等多種電子功能 。 PN結(jié)有同質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)兩種。 本征半導體載流子濃度 ni, p i 本征半導體 : ni = pi = n =p = E15 (me mh/mo） ^3/4 T^3/2 exp(Eg/2KT) = A T^3/2 e^(Eg/2KT) 是溫度 T,禁帶寬度 Eg的函數(shù) ,溫度越高 , ni越大 , Eg越寬 , ni越小 T為 3OOK時 , Si: ni = p i= E10/cm*3 ni pi = E20/cm^3 雜質(zhì)半導體 ni,電子濃度 n,空穴濃度 p 之間的關(guān)系 n = ni e^(EfEi)/kT, P = ni e^(EiEf)/kT, ni^2 = n p Ei本征費米能級 Ef雜質(zhì)費米能 , 在 n型半導體中 ,n＞ p,因此 , Ef＞ Ei 在 p型半導體中 , p＞ n,因此 , Ei＞ Ef n型 p型半導體的能帶結(jié)構(gòu) Eo Ec Ev Ei , Efi Eg E fn E fp Es Xs Wn Wp pn結(jié)形成的內(nèi)部機理 ? 施主和受主 ,電子和空穴 (載流子 ,移動電荷 ),空間電荷 (固定離子 ) ? 多數(shù)載流子和少數(shù)載流子 ,(載流子的擴散運動 ,空間電荷區(qū)的形成 ,內(nèi)建電場的建立 ), ? 內(nèi)建電場阻止多數(shù)載流子的進一步擴散 ,增強了少數(shù)載流子在反方向的漂移運動 ,最后達到動態(tài)平衡 (熱平衡 ,電中性 ),隨溫度變化時 ,平衡被破壞 ) 幾個重要參數(shù)和概念 ? 接觸電位差 : 由于空間電荷區(qū)存在電場 ,方向由 N到 P,因此 N區(qū)電位比 P區(qū)高 ,用 V表示 ,稱作接觸電位差 ,它與半導體的類型 (禁帶寬度 ),雜質(zhì)摻雜濃度 ,環(huán)境溫度等密切相關(guān) ,一般為 V到 V ? 勢壘高度 : 在空間電荷區(qū)內(nèi)電子勢能為 qV,因此電子從 N區(qū)到 P區(qū)必須越過這個勢能高度 ,該高度稱作 勢壘高度 PN結(jié)的伏安 (IV)特性 ： I為流過 PN結(jié)的電流； Is為
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