半導體p-n結,異質結和異質結構(存儲版)
【正文】 PN結的反向飽和電流，與溫度和材料有關的參數(shù)，V為外加電壓； Vt=kT/q,為 溫度的電壓當量（ Vt=26mV.），當外加正向電壓 V為正值且比 Vt大幾倍時 , 正向電流隨正向電壓的增加按指數(shù)規(guī)律增大 ,PN結為正向導通狀態(tài) .外加反向電壓即 v為負值，且 |v|比 Vt大幾倍時， PN結只流過很小的反向飽和電流，且數(shù)值上基本不隨外加電壓而變， PN結呈反向截止狀態(tài)。此時的費米能級在帶隙的中間。價帶中的電子靠熱激發(fā)或光激發(fā)直接躍遷到導帶，使空穴和電子的濃度相等。 由 PN結的 I/V特性曲線 得到： PN結 具 有單向導電性和非線性伏安特性 . PN結的正向導電性 在 PN結上外加一電壓 ，如果 P型一邊接正極 ， N型一邊接負極，電流便從 P型一邊流向 N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區(qū)變窄，甚至消失，多數(shù)載流子在電場的作用下可以順利通過。用同一種半導體材料制成的 PN 結叫同質結 ，由禁帶寬度不同的兩種半導體材料制成的 PN結叫異質結。 PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的核心，是現(xiàn)代微電子技術、光電子技術的基礎。例如：能階量子化、基態(tài)能量增加、能態(tài)密度改變等，其中能態(tài)密度與能階位置，是決定電子特性很重要的因素。 若干半導體雜質摻雜的一些考慮 12 關于 Au/ZnO/Si異質結能帶結構 4 .9 5mWeV14 . 3 5XeV14 . 5SWeV25 .1SWeV24 . 0 5XeV0E2cE2E?2iE1cE1iE1E?Au n Z n O? p S i?FmEFnEFpE器件結構圖 Au/nZnO/pSi 新型肖特基結 異質結構 紫外增強光電晶體管 ?新型肖特基結 異質結 紫外增強光電晶體管 ， 半導體學報英文版刊登認為論文有新意 ， 并在重要位置 （ 第二篇 ） 刊登 ? 該新型光電探測器增強了 Si光電探測器在紫外 （ UV） 波長的響應靈敏度 ， 具有重要研究價值 CV characteristics of Au/nZnO SBD eVeVxW mns )(1 ??????Au/nZnO SBD Photocurrent response with optical wavelength 不同襯底 Si材料的 ZnO異質結 IV及光電特性研究 采用 PLD技術和微電子平面工藝，用不同表面摻雜的 Si作為襯底制備了 ZnO/Si異質結，另外為改善異質結特性，以 pSi(p)為襯底嘗試制備了 ZnO（含 ％） /Si結構、以及包含 SiC緩沖層的ZnO/SiC/Si和 ZnO（含 ％） /SiC/Si結構。cm。接著表面蒸 Al， Al膜厚約 1μm，再在有源區(qū)反刻圓形 Al（稍大于ZnO圖形）。最后將樣品放在 N2氣氛中 530℃ 高溫下退火 15min。 第一組樣品的 I－ V曲線 第二組樣品的 I－ V曲線 光生伏特效應 采用 HITACHI M850熒光分光光度計產生入射光測量異質結零偏壓下光譜響應特性，其準確有效的波長范圍 200～ 600nm，準確度 177。 后面四條曲線從 450nm到 600nm區(qū)間的圖形非常一致。圖中樣品 (1)所
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