n結(jié)擊穿電壓第十一次-資料下載頁
2025-05-09 09:59本頁面
【正文】 ? n區(qū)與 p區(qū)的平衡電子濃度分別為： ? 結(jié)接觸電勢(shì)差與摻雜濃度、溫度、禁帶寬度等有關(guān) 00e x p F n ini EEnnkT???? ???? 0 0e x p F p ipiEEnnkT???? ????? ?0001ln nF n F pn EEp k T??? ? 0 0 0 201 l n l nn ADD F n F pik T n k T NNV E Eq q p q n? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? （ 24分）一個(gè)硅 PN結(jié)（ T=300K）， P區(qū)的摻雜濃度為 NA＝ 1x1015cm3， N區(qū)的摻雜濃度ND＝ 3 NA，使用雜質(zhì)全部電離和載流子全部耗盡假設(shè)， ? (1) 計(jì)算室溫下 PN結(jié)的接觸電勢(shì)差 VD； ? (2) 定性畫出 PN結(jié)的電場(chǎng)分布、電荷分布。 ? (3) 若溫度 T增加、材料的禁帶寬度 Eg增加， VD將分別如何變化？ ? (4) 若此結(jié)構(gòu)是 N+N結(jié)，即 N+區(qū)一側(cè) ND+=3 NA，N區(qū)一側(cè) ND= NA，計(jì)算此時(shí)的 VD。（ 2021） ? ? 0 0 0 201 l n l nn ADD F n F pik T n k T NNV E Eq q p q n? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? 1寫出理想 PN結(jié)的 JV特性關(guān)系公式（肖克萊方程）。并在半對(duì)數(shù)坐標(biāo)下（ X軸為 V，Y軸為 ln（ J/J0），定性畫出該曲線。若此 PN結(jié)為實(shí)際的 PN結(jié)，應(yīng)做哪些改動(dòng)？為什么？（ 2021）
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