n結(jié)擊穿電壓第十一次-文庫(kù)吧
2025-04-19 09:59 本頁(yè)面
【正文】 區(qū)導(dǎo)帶頂電子的能量，此時(shí)，若是電場(chǎng)較強(qiáng)，空間電荷區(qū)寬度（隧道長(zhǎng)度）較短，則電子的隧穿幾率就大增加，使得 P區(qū)價(jià)帶電子直接穿過(guò)禁帶而達(dá)到 N區(qū)導(dǎo)帶底，形成很大的反向電流。 隧道擊穿的特點(diǎn) ? 1. xD 越窄越有利于隧道效應(yīng)發(fā)生， VB 越?。凰愿邠诫s突變結(jié)，一般容易發(fā)生隧道擊穿。 ? （軟擊穿）；隧道擊穿不是在某個(gè)電壓下驟然發(fā)生的，而是隨著反向電壓增加，電子的隧道穿透幾率逐漸增加，反向電流也就逐漸增加，因而 IV特性是緩變的，所謂 “ 軟擊穿 ” ? VB 是負(fù)溫度系數(shù)的。隨著溫度升高，半導(dǎo)體的帶隙 Eg 減少，隧道長(zhǎng)度相應(yīng)減少，電子的穿透幾率相應(yīng)增大，因而 VB 隨溫度升高而減少。 167。 隧道 pn 結(jié)簡(jiǎn)介 一、現(xiàn)象 當(dāng) pn 結(jié)的 P 區(qū)和 N 區(qū)的摻雜濃度都很高時(shí) (1019cm3~1020cm3)，其 IV 特性出現(xiàn)： ，在小的正向偏壓下，電流開始隨電壓上升而上升，達(dá)到最大電流 Ip 之后，下降到 Iv，然后才與普通 pn 結(jié)擴(kuò)散電流一樣隨正向電壓的升高而指 數(shù)上升。 ，反向電流隨反向電壓 的增加而迅速增加。 ? 二、原理 ? 當(dāng) P 區(qū)、 N 區(qū)都是重?fù)诫s的，費(fèi)米能級(jí)分別進(jìn)入了 N 區(qū)的導(dǎo)帶和 P 區(qū)的價(jià)帶。同時(shí)，勢(shì)壘區(qū)較窄，電場(chǎng)較強(qiáng)；這就有利于發(fā)生隧穿，當(dāng)加上外偏壓時(shí)，兩邊出現(xiàn)一側(cè)有電子而另一側(cè)相同能態(tài)上有空位的狀態(tài)，這時(shí)就發(fā)生隧道效應(yīng) ? 由于隧道二極管是利用多子工作的，結(jié)的兩側(cè)不會(huì)有少子積累，而且隧道效應(yīng)是一量子躍遷過(guò)程，電子穿過(guò)勢(shì)壘極其迅速，不受渡越時(shí)間跟制，因而隧道二極管可以在極高頻率下工作。 ? 反向二極管（ Backward Diode）
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1