freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

n結(jié)擊穿電壓第十一次(已修改)

2025-05-25 09:59 本頁面
 

【正文】 167。 pn 結(jié)的擊穿 pn 結(jié)的擊穿 (Breakdown):當(dāng)加到反向 pn 結(jié)上的電壓足夠高時, pn 結(jié)反向飽和電流會突然增大, 此時的電壓稱反向擊穿電壓 VB。電擊穿、熱擊穿。 pn 結(jié)電擊穿有兩種重要的機制:雪崩倍增和隧道效應(yīng)。 一、雪崩( avalanche)倍增 pn結(jié)在反向偏置下,外加電場的方向和空間電荷區(qū)自建電場方向一致,空間電荷區(qū)的電場強度將隨反向電壓的增加而增加。在空間電荷區(qū)電場的作用下,空穴將向電源負(fù)極移動,電子向電源正極移動; 碰撞電離 :當(dāng) P區(qū)的電子向電源正極移動的過程中穿越勢壘時,將受到勢壘電場的加速。反向電壓越高,勢壘區(qū)中電場越強;若電場足夠強,電子獲得了足夠的動能和原子碰撞,將晶格的共價鍵破壞,產(chǎn)生一個電子 空穴對, 雪崩倍增 :這些新產(chǎn)生的電子 空穴對再從電場中獲得動能,進(jìn)一步產(chǎn)生電子 空穴對。 ? 雪崩擊穿特點 ? xD要有一定寬度;如果空間電荷區(qū)太窄(小于一個平均自由程),既使是載流子的能量再高,電離能力再強,不發(fā)生碰撞也無法產(chǎn)生雪崩現(xiàn)象。單邊突變結(jié)的擊穿電壓主要由低摻雜邊的摻雜濃度決定。 ? ,擊穿曲線比較陡直(硬擊穿);一般Ge、 Si 器件,雪崩擊穿電壓在 6Eg/q 以上,而且擊穿特性較硬(所謂硬擊穿)。 ? 3. 雪崩擊穿的擊穿電壓 VB 具有正溫度系數(shù)。隨著溫度的提高,散射增強,載流子的平均自由運動時間減少,導(dǎo)致動能不易積累,使電離率下降,擊穿電壓提高。 ? 雪崩擊穿電壓確定了大多數(shù)二極管反向偏壓的上限,也確定了雙極晶體管集電極電壓以及場效應(yīng)晶體管漏電壓的上限 。 二、隧道擊穿( Tunneling) ? 原理:在反偏電壓下, P區(qū)價帶頂附近電子能量可以升高到超過 N
點擊復(fù)制文檔內(nèi)容
試題試卷相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
公安備案圖鄂ICP備17016276號-1