zno基p-n結(jié)及其紫外發(fā)光性能的研究(參考版)
2024-10-21 21:44本頁(yè)面
【正文】 謝 謝！ Thank you ! 。建議采用外擴(kuò)散法：即在密閉的環(huán)境中維持一定的磷或砷氣壓，向薄膜內(nèi)的擴(kuò)散。 結(jié)論與研究展望： 5)目前的通過(guò)在富氧環(huán)境中生成的 ZnO pn 結(jié)還未能實(shí)現(xiàn)注入式激光發(fā)射，原因是受主反位鋅能級(jí)位置較高，因此量子效率低下，不能實(shí)用。 3） 若生長(zhǎng) ZnO pn結(jié) ， 應(yīng)首先在襯底表面采用急速退火生成一層 3～ 5nm SiO2晶體 ， 可有效防止襯底和薄膜之間的互擴(kuò)散 。 即當(dāng) SiO2含量為 0（ c=0）時(shí)，計(jì)算的薄膜厚度極大值為 納米，因此薄膜中必存在 SiO2 。 當(dāng) a = b = , c = 0 時(shí)： T = nm 140 nm。根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)， α 為，薄膜厚為 。在厚度小于 ，是 ZnO, aSiO2和Zn2SiO4共存；當(dāng)厚度大于 時(shí)，主要是 aSiO2和 Zn2SiO4共存。 100 101 102 103 104 105 106 DSIMS Counts (c/s) O Si P Zn (a) Depth (μm) 二次離子質(zhì)譜 : 圖 (b)是圖 (a)所示樣品在 800oC又退火 1小時(shí)后的情形。圖(a)是在 400 OC生長(zhǎng) 1小時(shí)后的情形。? = 1 . 0oZ n O ( 1 0 3 )S i ( 1 1 3 )Zn2S i O4 ( 2 2 3 )Zn2S i O4 ( 1 1 3 )Z n O ( 1 0 2 )Zn2S i O4 ( 2 2 0 )Z n O ( 0 0 2 ) Intensity(arb.unit)2 ? ( d e g r e e )800o(上 )和原生 (下 )樣品的 GXRD譜。 350 400 450 500 550 600 650 Zn2SiO4 ZnO Wavelength (nm) 505nm 525nm 390nm ZnO(800OC, 1小時(shí)退火 )薄膜的光譜解析： 390nm:ZnO的紫 外激光 453nm:未知藍(lán)色 熒光 525nm:硅酸鋅的 綠色熒光 350 400 450 500 550 600 650 ZnO(800OC退火 ） Wavelength (nm) 453nm 525nm 390nm 進(jìn)一步證實(shí) 掠入射 X射線衍射 (GXRD) 確立了硅酸 鋅的產(chǎn)生， 但沒(méi)有發(fā)現(xiàn) 453nm 藍(lán)色 熒光的來(lái)源： 可能是某些 非晶態(tài)物質(zhì)。525nm，強(qiáng) 原生 —800oC樣品紫峰的變化 : 峰位紅移 ,峰強(qiáng)迅速增加 (是由于退火導(dǎo)致 ZnO薄膜晶體質(zhì)量的改善，從而使得激子的發(fā)光機(jī)制發(fā)生改變所致 :由自由激子到 EHP發(fā)射 ) 950oC樣品 :紫峰峰強(qiáng)急劇下降 v 綠峰峰位的變化 :由 505nm紅移至 525nm, 同時(shí)譜帶的寬度變窄 . v AFM圖像 (下頁(yè) )所顯示的結(jié)果 :即隨著退火溫度的升高，薄膜的表面形貌發(fā)生由六角向四角晶相的相變，這種相變是不徹底的，包含著六角和四角兩種相。 515nm,稍弱 v800oC: 400nm,很強(qiáng) 。 390nm 510525nm 380nm387nm 由圖可見，各個(gè)樣品都存在著 “ 紫峰 ” 和 “ 綠峰 ” 兩個(gè)發(fā)射帶，但隨退火條件的不同，兩個(gè)發(fā)射帶的峰值強(qiáng)度和峰位有很大的
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