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硅片制備ppt課件(參考版)

2025-05-04 22:24本頁面
  

【正文】 拉晶過程 Dai Xianying 14 直拉 (CZ)法生長單晶示意圖 單晶硅的制備 Dai Xianying 15 區(qū)熔法 單晶硅的制備 Dai Xianying 16 水平區(qū)熔法 (布里吉曼法) 生長 GaAs單晶 單晶硅的制備 Dai Xianying 17 直拉法 vs區(qū)熔法 ? 直拉法,更為常用 (占 75%以上 ) -成本低 -尺寸大 (300mm已生產(chǎn) ) -剩余原材料可重復(fù)使用 -位錯(cuò)密度: 0~ 104cm2 ? 區(qū)熔法 -成本高 -尺寸較小 (150mm) -高純度的硅單晶 (不使用坩鍋 )(電阻率 2022Wmm) -位錯(cuò)密度: 103~ 105cm2 Dai Xianying 18 從硅錠到硅片 單晶硅錠 整型 切片 磨片倒角 刻蝕 拋光 清洗 檢查 包裝 從石英砂中提煉硅 硅片的制備 Dai Xianying 19 硅錠整型處理 定位邊(參考面) 150mm或更小直徑 定位槽 200mm或更大直徑 截掉頭尾、 直徑研磨、 定位邊或 定位槽 硅片的制備 Dai Xianying
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