襯底制備ppt課件(參考版)
2025-05-06 06:28本頁面
【正文】 ? 典型拋光液： SiO2+ NaOH (SiO2化學(xué)機械拋光 ) Si+ 2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑ 典型的化學(xué)機械 拋光原理示意圖 晶片加工 芯片制造、芯片測試與揀選、裝配與封裝以及終測 芯片制造、芯片測試與揀選、裝配與封裝以及終測 。 2） 不需攪拌； 3） 表面無損傷 。 晶片加工 ② 化學(xué)拋光（化學(xué)腐蝕） 典型配方： HF:HNO3:CH3COOH=1:3:2(體積比 ) 3Si+4HNO3+18HF=3H3SiF6+4NO↑+8H2O 注意腐蝕溫度： t=3050℃ ,表面平滑； t25℃ , 表面不平滑。 ② 種類： Al2O SiC、 ZrO、 SiO MgO等 晶片加工 3. 拋光 ? 目的：進一步消除表面缺陷 ， 獲得高度平整 、光潔及無損層的 “ 理想 ” 表面 。 晶片加工 晶片加工 2. 磨片 ? 目的： ① 使各片厚度一致； ② 使各硅片各處厚度均勻； ③ 改善平整度 。 晶面標識 ? 原理：各向異性使晶片沿解理面易裂開； 硅單晶的解理面： {111} ； （ 主定位面 ， 主標志面 ） ? ① 起識別劃片方向作用； ? ② 作為硅片 （ 晶錠 ） 機械加工定位的參考面； ? ③ 作為硅片裝架的接觸位置 ， 可減少硅片損耗； （次定位面，次標志面） 識別晶向和導(dǎo)電類型 晶面標識 晶面標識 晶片加工 ? 切片、磨片、拋光 1. 切片 ? 將已整形 、 定向的單晶用切割的方法加工成符合一定要求的單晶薄片 。 ? 晶體定
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