硅的異質(zhì)外延ppt課件(完整版)
【正文】 ? (a)硅層厚度由注入的 H+的范圍（能量）精確定義； (b) 晶片分裂易于把薄層 (≈1 mm)從一塊晶片上轉(zhuǎn)移到另一晶片上，而且分裂晶片可以循環(huán)使用。 ? SDBamp。 ?此工藝可以使晶體管的充放電速度大大加快，提高數(shù)字電路的開關(guān) 速度。 SOS外延生長(zhǎng) ? 襯底表面的反應(yīng)： AL2O3+2HCl+H2=2ALCl↑ +3H2O 2H2+Al2O3=Al2O ↑ +2H 2O 5Si＋ 2Al2O3=AL2O ↑ ＋ 5SiO ↑ +2Al ? 帶來(lái)的問題：自摻雜效應(yīng) (引入 O和 Al) 襯底被腐蝕，導(dǎo)致外延層產(chǎn)生缺陷，甚至局部長(zhǎng)成多晶 ? SiCl4對(duì)襯底的腐蝕大于 SiH4,所以 SOS外延生長(zhǎng)，采用SiH4熱分解法更有利。 SOI技術(shù)的誕生背景 ? SOI材料可實(shí)現(xiàn)完全的介質(zhì)隔離．與有 P— N結(jié)隔離的體硅相比，具有高速率、低功耗、集成度高、耐高溫等特點(diǎn) SOI材料的應(yīng)用領(lǐng)域 ? 便攜式系統(tǒng) ? 高溫系統(tǒng) 能克服常規(guī)的體硅電路高溫下出現(xiàn)的功耗劇增，漏電，電磁干擾增加，可靠性下降。 它們一般都由高度集成的電子器件組成，且多使用干電池或太陽(yáng)能電池作為電源。 目前最適合硅外延的異質(zhì)襯底是藍(lán)寶石和尖晶石。即第一部用 SiH4/H2體系迅速覆蓋襯底表面，然后第二步再用 SiCI4/H2體系接著生長(zhǎng)到所要求的厚度。BE ? 將兩片硅片通過表面的 SiO2層鍵合在一起 ,再把背面用腐蝕等方法減薄來(lái)獲得 SOI結(jié)構(gòu) ? 該技術(shù)是利用范德華力，將兩片經(jīng)拋光、氧化和親水處理后的硅片，在超凈環(huán)境中進(jìn)行高溫鍵合．形成 S0I結(jié)構(gòu)．隨后將 S0I片的一面進(jìn)行化學(xué)腐蝕、電化學(xué)腐蝕、化學(xué)機(jī)械拋光等處理進(jìn)行減薄 當(dāng)兩個(gè)平坦的具有 親水性 表面的硅片（如被氧化的硅片）相對(duì)放置在一起時(shí)，即使在室溫下亦會(huì)自然的發(fā)生鍵合。 采用 SIMOX技術(shù)制備的頂層硅膜通常較薄，為此，人們采用在 SIMOX基片上外延的方法來(lái)獲得較厚的頂層硅，即所謂的 ESIMOX（ Epitaxy SIMOX）技術(shù)。 以上 4種制備 SOI材料的方法各有所長(zhǎng) ， 使用者可以根據(jù)不同的材料要求 ， 選擇不同的制備方法 。然后在膜上淀積多晶或非晶硅 ,再通過激光束熔化、電子束熔化、區(qū)域熔融或光照熔融等手段使淀積的多晶或非晶硅發(fā)生局部熔融 ,移動(dòng)熔區(qū) ,熔區(qū)前沿的多晶或非晶硅不斷熔化 ,后沿則發(fā)生再結(jié)晶
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