led基礎知識及外延工藝(參考版)
2025-04-29 12:56本頁面
【正文】 從而使其不 能使用 芯片光電參數(shù) 3E Semiconductor Create the Light, Light the World About LED – LED Process RAW WAFER EPITAXY CHIP PROCESS PACKAGE MODULE MOCVD 原材料 外延工藝 芯片制程 封裝 模組 LED工藝流程 直徑4’ 3E Semiconductor Create the Light, Light the World Thank you! 。通過積分球收集激發(fā)出的光子得到。 Photoluminescence （ PL）：光致發(fā)光 3E Semiconductor Create the Light, Light the World PL測量 Peak wavelength: 峰值波長 （ 446~452） Dominant wave: 主波長 FWHM：半峰寬 Thickness: 外延片的總厚度 3E Semiconductor Create the Light, Light the World EL測量 Electroluminescent （ EL） 通過加在兩電極的電壓產(chǎn)生電場，被電場激發(fā)的電子碰擊發(fā)光中心，而引致電子能級的躍進、變化、復合導致發(fā)光的一種物理現(xiàn)象。 典型 LED外延結(jié)構(gòu) 6. pGaN Bake Buffer TB TW DW DB EB EW LB PSLS PGaN PInGaN LTnGaN HPnGaN LPnGaN 3E Semiconductor Create the Light, Light the World PSS襯底 PSS: Patterned Sapphire Substrate (圖形化襯底 ) 使用 PSS襯底以提高出光效率 外延 基礎 3E Semiconductor Create the Light, Light the World Microscope PL EL XRD Bowing ? 觀察表面是否有異常 ? 外延片表面等級判定 ? 光致發(fā)光 ? 波長 ? 強度 ? 均勻性 ? 電致發(fā)光 ? 波長 ? 亮度 ? 電壓 ? 晶體質(zhì)量 ? 材料組分 ? 周期厚度 ? 外延片翹曲度 外延片測量 LEI ? 表面電阻 外延 測量 3E Semiconductor Create the Light, Light the World PL測量 光致發(fā)光是半導體的一種發(fā)光現(xiàn)象，利用光照射到材料表面，其電子吸收光子而躍遷到高能級，處于高能級的電子不穩(wěn)定，會回落到低能級，同時伴隨著能級差的能量以光輻射的形式發(fā)射出來。 典型 LED外延結(jié)構(gòu) 4. MQW 3E Semiconductor Create the Light, Light the World p型層為量子阱注入空穴。阱層的溫度和 In源的摻雜濃度決定了發(fā)光波長。阱層很薄，和壘層相間分布，將使注入的載流子在外延生長的方向受到限制，從而提高電子空穴對的空間濃度，加大復合發(fā)光的幾率，提高發(fā)光效率。 典型 LED外延結(jié)構(gòu) 3. nGaN 3E Semiconductor Create the Light, Light the World ?
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1