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2025-06-20 03:30本頁面
【正文】 夠的熱量以獲得蒸發(fā)所必需的蒸汽壓。 注：只要在給定空間內(nèi)，氣體壓強低于一個大氣壓的氣體狀態(tài)，均稱之為真空 粗真空： 1*105～ 1*102Pa 低真空： 1*102 ～ 1*101Pa 高真空： 1*101 ～ 1*106Pa 超高真空：＜ 1*106Pa 真空蒸發(fā)沉積過程 （ 1）蒸發(fā)源材料由凝聚相轉(zhuǎn)變成氣相； （ 2）在蒸發(fā)源與基片之間蒸發(fā)粒子的運輸； （ 3）蒸發(fā)粒子到達基片后凝結(jié)、成核、長大、成膜。 濺射的裝置 輝光放電直流濺射 三級濺射 射頻濺射 磁控濺射 對靶濺射 離子束濺射 交流濺射 反應(yīng)濺射 在離子束沉積過程中，所希望得到的膜材料被離化，具有高能量的膜材料離子被引入到高真空區(qū)，在到達基片之前被減速以實現(xiàn)低能直接沉積。蒸發(fā)沉積的速度快，蒸發(fā)得到的膜與基片的集合較差，膜孔洞多，厚度均勻性差，而濺射沒有這些缺點，但其濺射的沉積速度太慢，離子輔助則吸收了兩者的優(yōu)點并克服了兩者的缺點。 包括： （ 1）分子束外延（ MBE） （ 2）液相外延生長（ LPE） （ 3）熱壁外延生長（ HWE） 分子束外延 在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產(chǎn)生的蒸氣，經(jīng)小孔準(zhǔn)直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當(dāng)溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底
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