薄膜技術(shù)ppt課件-展示頁
2025-05-16 13:43本頁面
【正文】 4) Adsorption of precursors 5) Precursor diffusion into substrate 6) Surface reactions 7) Desorption of byproducts Exhaust Gas delivery 因而在 反應(yīng)劑濃度較小 時(shí)有： YNNhkhkNNhkhkvhkNNSiTGSGSSiGGSGSGSGGS??????00)/(1KS為表面化學(xué)反應(yīng)系數(shù)， hG氣相質(zhì)量轉(zhuǎn)移（傳輸）系數(shù) NT為分子總濃度， Y為反應(yīng)劑摩爾數(shù) v為外延層的生長(zhǎng)速率 () – 1）生長(zhǎng)速率和反應(yīng)劑濃度的關(guān)系 ——正比 （ a） ?。?b）、（ c）？ SiCl4（氣） +Si（固） ?2SiCl2（氣） – 2）生長(zhǎng)速率與外延溫度的關(guān)系 – 對(duì)于 SiCl4， Ea~ SiH4， Ea~ DG0： ~1cm2s1 a： ~2 NGGaGGaSSDhTTDDkTEkk?/)/()/e x p (000????– 在較高溫度下： kShG 質(zhì)量轉(zhuǎn)移控制 – 在較低溫度下： kShG 表面反應(yīng)控制 YhNNvNGSiTGS?? 0YkNNvNNSSiTGGS?? 0在高溫段（ 質(zhì)量轉(zhuǎn)移控制 ）生長(zhǎng)速率受溫度影響小，便于控制（可為 177。 如： 1200176。第四單元：薄膜技術(shù) 第 8章：
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