薄膜cvd技術(shù)ppt課件-展示頁(yè)
2025-01-24 10:03本頁(yè)面
【正文】 CVD技術(shù)。在這種情況下，生長(zhǎng)速率降低（ ~nm/min） ，即使在進(jìn)一步降低反應(yīng)溫度 (500~700176。在這種情況下，生長(zhǎng)速率降低，即使在進(jìn)一步降低反應(yīng)溫度，也能較好地控制厚度和缺陷。 表面反應(yīng)控制： 生長(zhǎng)反應(yīng)與氣流無(wú)關(guān)，因而均勻性好，產(chǎn)量高；生長(zhǎng)速率與溫度有關(guān)，較難控制；生長(zhǎng)溫度低，污染小，但容易產(chǎn)生缺陷。第十章 薄膜化學(xué)汽相淀積（ CVD）技術(shù) . 化學(xué)汽相淀積（ CVD）原理 . 薄膜生長(zhǎng)的基本過(guò)程 (與外延相似 ) 外延是一特殊的薄膜生長(zhǎng) 1)參加反應(yīng)的氣體混合物被輸運(yùn)到沉積區(qū) 2)反應(yīng)物分子由主氣流擴(kuò)散到襯底表面 3)反應(yīng)物分子吸附在襯底表面 4）吸附物分子間或吸附分子與氣體分子間 發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物和副產(chǎn)物，并沉積在襯底表面（或原子遷移到晶格位置） 5）反應(yīng)副產(chǎn)物分子從襯底表面解吸 6）副產(chǎn)物分子由襯底表面外擴(kuò)散到主氣流 中，然后排出沉積區(qū) . Grove模型 和質(zhì)量附面層模型 Grove模型 : F1=hG(CGCS) F2=kSCS G=F/?m =[kShG/(kS+hG)](CT/ ?m)Y G=hG（ CG/ ?m）為高溫下的質(zhì)量輸運(yùn)控制 G=kS（ CG/ ?m）為較低溫下的表面反應(yīng)控制 質(zhì)量附面層（速度界面層）模型 : 可得： 所以： eLm RLvLL32320?????02323???vLLDRLDDh mGeLGGG ???aG TTDD ?????????00KTES ek?
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