磁控濺射鍍膜技術(shù)ppt課件-在線瀏覽
2025-04-10 22:19本頁面
【正文】 學(xué)膜的研發(fā)工作中 . 二、 氣體放電某些特性 在一般的濺射裝置中，在真空室內(nèi)輝光放電形成并加速正離子，應(yīng)熟悉氣體放的某些電特性 輝光放電巴刑曲線 絕緣間隙的選取 放電氣體壓力 P與電極之間距離 d的乘積 輝光放電壓 U的影響，相對應(yīng)的曲線稱 巴刑曲線，該曲線所展示的規(guī)律稱巴刑定律 .DISTANCE(Torrcm)V(BREAKDOWN)(volts)? 濺射鍍膜中放電氣體壓力通常選 P=1x102至 5x104Torr，工作點(diǎn)選在左半支曲線，對于相鄰的相互絕緣的兩個導(dǎo)體，要求有足夠高的耐擊穿電壓 U，相互之間距離不宜太大， d= 放電的伏安特性曲線 不提倡“一拖二 輝光放電中靶電壓與靶電流關(guān)系曲線稱靶的伏安特性曲線 . 電流密度 J/ (A E）所謂“雙跑道靶”是將靶面加寬（例如由 140mm加 大到 220mm）磁場作相應(yīng)改變，放電時(shí)形成兩個放電區(qū)，這與雙靶并聯(lián)無本質(zhì)差別，放電不穩(wěn)定，影響電源壽命 ,降低膜層質(zhì)量 ,基片上膜層不均勻區(qū)加大。 ? 陰極暗區(qū)邊緣的電位幾乎接近陽極電位，相當(dāng)于在輝光放電時(shí)，等離子體將陽極推到陰極暗區(qū)邊緣，此時(shí)真正的陽極在哪里并不重要。 等離子體、等離子體發(fā)光與 PEM ? 等離子體特點(diǎn)： ? 等離子體內(nèi)的基本過程 ? 電離過程 ? （ 3）式描述了快電子離過程，能電量由電子提供 ? （ 4）式表示了光電離過程，能電 h?量由光子提供 ? 激發(fā)、退激發(fā)及中和過程 ? 退激發(fā)過程的能態(tài)躍遷釋放能量 發(fā)光 ? 光強(qiáng)度正比于激發(fā)態(tài)密度 n*和相應(yīng)的 mn躍遷機(jī)率 P ? 特征光譜 荷能粒子與材料表面相互作用 產(chǎn)生的效應(yīng) ? 表面粒子發(fā)射：電子、中性原子與分子、正離子和負(fù)離子、氣體分子解吸、氣體分解發(fā) ? 射、射線（光）、入射粒子的背散射、 ? 入射粒子（離子）在固體表面或內(nèi)部與材料原子（分子）的級聯(lián)碰撞、注入、擴(kuò)散、化合 ? 材料晶體的非晶化、結(jié)構(gòu)損傷（產(chǎn)生缺陷）、置換 ? 熱、電效應(yīng) 濺射效應(yīng) 正離子轟擊靶材表面引起的各類發(fā)射稱濺射，材料的濺射產(chǎn)額 y系指一個正離子入射到表面從表面濺射出的原子數(shù)。入射離子能量從零增加到某值時(shí)，才發(fā)生濺射現(xiàn)象，該值稱為閾能。 （ 2）濺射產(chǎn)額 y與材料種類、表面狀態(tài)、溫度有關(guān)。 ? 加進(jìn)磁場使放電容易，靶電壓降低，膜層質(zhì)量提
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