磁控濺射鍍膜技術(shù)ppt課件(已修改)
2025-03-05 22:19 本頁(yè)面
【正文】 磁控濺射鍍膜技術(shù)的基本概念與應(yīng)用 （學(xué)習(xí)班講稿） 報(bào)告人：范垂禎 2022年 6月 低溫實(shí)驗(yàn) 一、 引言 荷能粒子 （例如氬離子）轟擊固體表面，引起表面各種粒子，如原子、分子或團(tuán)束從該物體表面逸出的現(xiàn)象稱 “ 濺射 ” 。在磁控濺射鍍膜中，通常是應(yīng)用氬氣電離產(chǎn)生的正離子轟擊固體（靶），濺出的中性原子沉積到基片（工件）上，形成膜層，磁控濺射鍍膜具有 “ 低溫 ”和 “ 快速 ” 兩大特點(diǎn)。 濺射鍍膜技術(shù)是真空鍍膜技術(shù)中應(yīng)用最廣的正在不斷發(fā)展的技術(shù)之一 發(fā)展概況（ 1） ? 1842年 Grove發(fā)現(xiàn)陰極濺射現(xiàn)象 ? 1877年將二極濺射技術(shù)用于鍍制反射鏡。 ? 二十世紀(jì)三十年代采用二極濺射技術(shù)鍍制金膜作為導(dǎo)電底層 ? 以后出現(xiàn)射頻濺射、三極濺射和磁控 濺射。 發(fā)展概況（ 2） ? 1936年和 1940年 Penning相繼發(fā)明圓柱和圓筒磁控濺射陰極。 Penning放電、 Penning規(guī)、 Penning離子源相繼出現(xiàn) ? 1963年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室采用 10米的連續(xù)濺射鍍膜裝置鍍制集成電路的鉭膜，首次實(shí)現(xiàn)濺射鍍膜產(chǎn)業(yè)化。 ? 1970年 圓柱 磁控濺射 陰極獲得工業(yè)應(yīng)用 發(fā)展概況（ 3） ? 1980年前后 ,提出脈沖單靶磁控濺射、中頻單靶磁控濺射，發(fā)展為中頻雙靶磁控濺射。 ? 雙靶磁控濺射（ Dual Magron Sputtering）的方法的最早專利是Kirchhoff 等 1986年申請(qǐng)的 ? 工業(yè)上 ， 德國(guó) Leybold 的孿生靶（ TwinMag174。） 系統(tǒng)是其典型代表 ,已于1994年正式投入生產(chǎn) 。 發(fā)展概況（ 4） ? 1986年 Window發(fā)明了非平衡濺射（ Closedfied unbalanced magron spattering, CFUMS),有廣闊的應(yīng)用前景 國(guó)內(nèi)發(fā)展情況 ? 1982年以后，范毓殿、王怡德及李云奇等先后發(fā)表了有關(guān)平面磁控濺射靶設(shè)計(jì)方面的論文報(bào)告 ? 1985年后，各類小型平面磁控濺射鍍膜機(jī)問(wèn)世 ? 19951996年豪威公司采用國(guó)外先進(jìn)技術(shù)和材料研制出大型 ITO磁控濺射鍍膜系統(tǒng)(含射頻濺射制備二氧化硅膜的裝置和功能 ) ? 1996年沈陽(yáng)真空技術(shù)研究所研制出大型ITO磁控濺射鍍膜鍍膜系統(tǒng) ? 1997年豪威公司開(kāi)展中頻雙靶反應(yīng)濺射制備二氧化硅膜工藝與設(shè)備研究。 ? 1999年豪威公司與清華大學(xué)合作在國(guó)際上首次研制成功中頻雙靶反應(yīng)濺射制備二氧化硅膜與氧化銦錫膜
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