磁控濺射鍍膜技術(shù)ppt課件-wenkub
2023-03-08 22:19:23 本頁面
【正文】 分子）的級(jí)聯(lián)碰撞、注入、擴(kuò)散、化合 ? 材料晶體的非晶化、結(jié)構(gòu)損傷（產(chǎn)生缺陷）、置換 ? 熱、電效應(yīng) 濺射效應(yīng) 正離子轟擊靶材表面引起的各類發(fā)射稱濺射，材料的濺射產(chǎn)額 y系指一個(gè)正離子入射到表面從表面濺射出的原子數(shù)。 E）所謂“雙跑道靶”是將靶面加寬（例如由 140mm加 大到 220mm）磁場作相應(yīng)改變，放電時(shí)形成兩個(gè)放電區(qū)，這與雙靶并聯(lián)無本質(zhì)差別，放電不穩(wěn)定，影響電源壽命 ,降低膜層質(zhì)量 ,基片上膜層不均勻區(qū)加大。 發(fā)展概況（ 4） ? 1986年 Window發(fā)明了非平衡濺射（ Closedfied unbalanced magron spattering, CFUMS),有廣闊的應(yīng)用前景 國內(nèi)發(fā)展情況 ? 1982年以后，范毓殿、王怡德及李云奇等先后發(fā)表了有關(guān)平面磁控濺射靶設(shè)計(jì)方面的論文報(bào)告 ? 1985年后，各類小型平面磁控濺射鍍膜機(jī)問世 ? 19951996年豪威公司采用國外先進(jìn)技術(shù)和材料研制出大型 ITO磁控濺射鍍膜系統(tǒng)(含射頻濺射制備二氧化硅膜的裝置和功能 ) ? 1996年沈陽真空技術(shù)研究所研制出大型ITO磁控濺射鍍膜鍍膜系統(tǒng) ? 1997年豪威公司開展中頻雙靶反應(yīng)濺射制備二氧化硅膜工藝與設(shè)備研究。 Penning放電、 Penning規(guī)、 Penning離子源相繼出現(xiàn) ? 1963年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室采用 10米的連續(xù)濺射鍍膜裝置鍍制集成電路的鉭膜，首次實(shí)現(xiàn)濺射鍍膜產(chǎn)業(yè)化。在磁控濺射鍍膜中，通常是應(yīng)用氬氣電離產(chǎn)生的正離子轟擊固體（靶），濺出的中性原子沉積到基片（工件）上，形成膜層，磁控濺射鍍膜具有 “ 低溫 ”和 “ 快速 ” 兩大特點(diǎn)。 濺射鍍膜技術(shù)是真空鍍膜技術(shù)中應(yīng)用最廣的正在不斷發(fā)展的技術(shù)之一 發(fā)展概況（ 1） ? 1842年 Grove發(fā)現(xiàn)陰極濺射現(xiàn)象 ? 1877年將二極濺射技術(shù)用于鍍制反射鏡。 ? 1970年 圓柱 磁控濺射 陰極獲得工業(yè)應(yīng)用 發(fā)展概況（ 3） ? 1980年前后 ,提出脈沖單靶磁控濺射、中頻單靶磁控濺射，發(fā)展為中頻雙靶磁控濺射。 ? 1999年豪威公司與清華大學(xué)合作在國際上首次研制成功中頻雙靶反應(yīng)濺射制備二氧化硅膜與氧化銦錫膜在線聯(lián)鍍裝置投入生產(chǎn)。 E） 避免弧光放電 ? 用大功率啟動(dòng)新靶，材料表面出氣，局部真空變壞 ? 直流濺射情況，靶面有不良導(dǎo)體形成 ? 靶設(shè)計(jì)、安裝不當(dāng)，及在運(yùn)用過程中受力、受熱引起的機(jī)械變形，造成的局部擊穿 輝光放電區(qū)電位分布 靶 基距
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