《磁控濺射鍍膜技術(shù)》ppt課件-文庫吧
2025-02-06 22:19 本頁面
【正文】 在線聯(lián)鍍裝置投入生產(chǎn)。 ? 1999年北京儀器廠設(shè)計中頻反應(yīng)磁控濺射雙靶 ? 2022年和 2022年豪威公司先后研制出兩條新的大型中頻雙靶反應(yīng)濺射制備二氧化硅膜與氧化銦錫膜在線聯(lián)鍍裝置并投入生產(chǎn) . ? 2022年豪威公司在國內(nèi)首次引進 PEM控制系統(tǒng) ,自行安裝調(diào)試 ,成功的應(yīng)用于多層光學膜的研發(fā)工作中 . 二、 氣體放電某些特性 在一般的濺射裝置中，在真空室內(nèi)輝光放電形成并加速正離子，應(yīng)熟悉氣體放的某些電特性 輝光放電巴刑曲線 絕緣間隙的選取 放電氣體壓力 P與電極之間距離 d的乘積 輝光放電壓 U的影響，相對應(yīng)的曲線稱 巴刑曲線，該曲線所展示的規(guī)律稱巴刑定律 .DISTANCE(Torrcm)V(BREAKDOWN)(volts)? 濺射鍍膜中放電氣體壓力通常選 P=1x102至 5x104Torr，工作點選在左半支曲線，對于相鄰的相互絕緣的兩個導(dǎo)體，要求有足夠高的耐擊穿電壓 U，相互之間距離不宜太大， d= 放電的伏安特性曲線 不提倡“一拖二 輝光放電中靶電壓與靶電流關(guān)系曲線稱靶的伏安特性曲線 . 電流密度 J/ (A cm )電壓 V/NV B湯森放電正常輝光弧光異常輝光P=133Pa(Ne)VA) 伏安特性曲線，分幾段： ? 電壓很小時，只有很小電流通過： ? 加大電壓進入湯生放電區(qū)； ? “雪崩”，進入“正常輝光放電區(qū)” ? 離子轟擊區(qū)覆蓋整個陰極表面，再增加功率進入“非正常輝光放電區(qū)”，濺射工藝的工作點選在此區(qū)： ? 繼續(xù)增加功率，達到新的擊穿，進入低電壓大電流的“弧光放電區(qū)” B) 靶的 放電的伏安特性曲線與哪些因 素有關(guān)？ ? 靶的幾何形狀、尺寸，零部件安裝精度，受力或熱引起的變形 ? 靶電極材料及表面狀態(tài)（污染、光潔度等） ? 靶區(qū)氣體壓力及組分 ? C) 沒有完全相同的靶，任何兩個靶的 伏安特性曲線不可能完全相同 D)兩個靶并聯(lián)用一臺電源難以使兩個靶都處于最佳狀態(tài) ,影響電源壽命 ,降低膜層質(zhì)量。 E）所謂“雙跑道靶”是將靶面加寬（例如由 140mm加 大到 220mm）磁場作相應(yīng)改變，放電時形成兩個放電區(qū)，這與雙靶并聯(lián)無本質(zhì)差別，放電不穩(wěn)定，影響電源壽命 ,降低膜層質(zhì)量 ,基片上膜層不均勻區(qū)加大。 E） 避免弧光放電 ? 用大功率啟動新靶，材料表面出氣，局部真空變壞 ? 直流濺射情況，靶面有不良導(dǎo)體形成 ? 靶設(shè)計、安裝不當，及在運用過程中受力、受熱引起的機械變形，
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