薄膜材料與薄膜技術(shù)復(fù)習(xí)資料-在線瀏覽
2024-09-15 16:12本頁面
【正文】 等離子體技術(shù)、真空蒸發(fā)技術(shù)于一身，大大改善了薄膜的性能，兼有真空蒸發(fā)鍍膜和濺射的優(yōu)點(diǎn)。1 外延生長(zhǎng)的主要技術(shù)有 分子束外延（MBE）、液相外延（LPE)、熱壁外延（HWE)和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）。簡(jiǎn)答：化學(xué)氣相沉積的優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)（已寫）缺點(diǎn)：?化學(xué)反應(yīng)需要高溫?反應(yīng)氣體會(huì)與基片或設(shè)備發(fā)生化學(xué)反應(yīng)?在化學(xué)氣相沉積中所使用的設(shè)備可能較為復(fù)雜，且有許多變量需要控制 化學(xué)熱氧化生長(zhǎng)、化學(xué)氣相沉積與真空蒸發(fā)有何不同答：化學(xué)熱氧化生長(zhǎng)是通過加熱基片可以原位的生成所需的氧化物、氮化物等薄膜。 真空蒸發(fā)通過各種加熱方式使得各反應(yīng)源材料沉積到基片上，一般需要通過后期熱處理后形成薄膜。 簡(jiǎn)述LB技術(shù)的過程定義：利用分子活性氣體在氣液界面上凝結(jié)成膜，將該膜逐次疊積在基片上形成分子層。磁場(chǎng)的作用：約束帶電粒子提高等離子體密度以增加濺射率優(yōu)點(diǎn)：可在較低工作壓強(qiáng)下得到較高的沉積率，可在較低基片溫度下獲得高質(zhì)量 薄膜。這種濺射稱為非平衡磁控濺射。 簡(jiǎn)述離子鍍的優(yōu)點(diǎn)離子鍍不僅兼具真空蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜的優(yōu)點(diǎn)還具有獨(dú)特的特點(diǎn)：①所鍍薄膜與基片結(jié)合好?到達(dá)基片的沉積粒子繞射性好?可用于鍍膜的材料廣泛④離子鍍沉積率高，鍍膜前對(duì)鍍件清洗工序簡(jiǎn)單且對(duì)環(huán)境無污染。每個(gè)分子都有確定的振動(dòng)頻率，因此可用紅外光譜標(biāo)識(shí)薄膜中所含分子并確立分子間的鍵合特征。因此可用拉曼光譜測(cè)定這種頻率的改變，從而分析和鑒別薄膜樣品中的化學(xué)組成和化學(xué)鍵合。③對(duì)于具有對(duì)稱中心的分子振動(dòng)，紅外不敏感，拉曼敏感；對(duì)于反對(duì)稱中心的分子振動(dòng)，則紅外敏感拉曼不敏感。（熱力學(xué)界面能理論）和原子理論：216。216。216。因此，對(duì)于凝聚自由能較小的材料或者過飽和度較小情況下進(jìn)行沉積的情況比較適合。原子理論適合小尺寸臨界核。 ③由于這兩種理論所
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