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薄膜的圖形化技術(shù)ppt課件-資料下載頁(yè)

2025-05-04 12:08本頁(yè)面
  

【正文】 刻蝕: SF6 刻蝕 (60s, ?80V); C4F8 側(cè)壁鈍化 (30s, 0V)。在兩種氣體相混的間隙時(shí)間里,等離子體熄滅 Bosch Si 刻蝕工藝 . Jo et al. / Surface amp。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 Si 的刻蝕與側(cè)壁鈍化的機(jī)制 刻蝕: 在等離子體中電子的作用下, SF6 被分解為 F 原子和 SF5+ 離子: F 原子與 Si 發(fā)生如下的刻蝕反應(yīng): 鈍化: 另一方面,在等離子體中, C4F8 則被分解為 CF2 等化學(xué)基團(tuán): CF2 活性基團(tuán)在被固相表面吸附以后,則進(jìn)一步形成聚四氟乙烯類的聚合物薄膜: 為了優(yōu)化刻蝕與鈍化兩者的效率,可將刻蝕與鈍化兩者從時(shí)間上分割開(kāi):一段時(shí)間內(nèi)進(jìn)行刻蝕,另外一段時(shí)間內(nèi)進(jìn)行側(cè)壁鈍化 改進(jìn)的 側(cè)壁鈍化 刻蝕工藝 . Jo et al. / Surface amp。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 功率和襯底溫度對(duì) PPFC薄膜沉積速率的影響 溫度 : 13?C RF 功率 : 600W 刻蝕后,以 C4F8 氣體為原料,對(duì)模具施加 PPFC 涂層 PPFC 涂層前與涂層后,接觸角的測(cè)量結(jié)果 . Jo et al. / Surface amp。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 未涂層 PPCF 涂層 PPFC 涂層處理可顯著提高 Si 表面的接觸角 —— 賦予其憎水性,使脫模過(guò)程更為容易 ? 鋪展開(kāi)的液珠 ? 未鋪展開(kāi)的液珠 利用 UV光固化技術(shù),可制備塑料微型部件 Si 模具用于微型塑料部件的制造 . Jo et al. / Surface amp。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 氟化碳膜的作用是它可提高脫模質(zhì)量 ? 模腔深 45?m, 側(cè)壁傾角 ~85?, 后者使脫模更為容易 . Jo et al. / Surface amp。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 刻蝕得到的微型 Si 模具 微型模腔 ? ?微型模腔 微型塑料部件很好地重現(xiàn)了微型模具的外形尺寸 由 Si 模具制造的微型塑料部件及其外形圖 . Jo et al. / Surface amp。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 ?制造缺陷 ?塑料件 ?Si 模具 第八講 小結(jié) ? 在需要對(duì)薄膜材料進(jìn)行圖形化時(shí),光刻技術(shù)是一個(gè)有力的技術(shù)手段。 ? 與薄膜材料的 PECVD方法相對(duì)應(yīng),等離子體刻蝕技術(shù)可被用于對(duì)薄膜材料進(jìn)行表面刻蝕。 ? 發(fā)展中的等離子體刻蝕技術(shù)與化學(xué)溶劑刻蝕方法相比,可在更小的線寬尺度上,對(duì)材料進(jìn)行各向異性的刻蝕。 ? 等離子體刻蝕的微觀機(jī)制可以被分為四類(或五類),它們的主要區(qū)別在于發(fā)揮作用的活性基團(tuán)和它們的作用機(jī)制。 ? 反應(yīng)離子刻蝕、高密度等離子體刻蝕兩種方法是目前半導(dǎo)體技術(shù)中各向異性刻蝕的主要手段。 思 考 題 1. 對(duì)比等離子體光刻技術(shù)與 PECVD技術(shù)的異同點(diǎn)。 2. 討論濕法與干法半導(dǎo)體光刻技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)。 3. 說(shuō)明:高密度等離子體光刻技術(shù)逐漸取代早期的反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)的原因。 4. 比較濺射、化學(xué)刻蝕、離子輔助刻蝕、側(cè)壁鈍化的離子輔助刻蝕等四種等離子體刻蝕機(jī)制的特點(diǎn)。 5. 嘗試解釋離子輔助刻蝕方法能夠獲得高的刻蝕速率的原因。 6. 討論等離子體刻蝕方法提供的刻蝕選擇性和刻蝕各向異性。 7. 討論:在使用 193nm或 13nm波長(zhǎng)的紫外光源暴光的情況下,由光刻技術(shù)可以獲得的線寬。
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