薄膜的圖形化技術(shù)ppt課件-免費(fèi)閱讀
【正文】 4. 比較濺射、化學(xué)刻蝕、離子輔助刻蝕、側(cè)壁鈍化的離子輔助刻蝕等四種等離子體刻蝕機(jī)制的特點(diǎn)。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 ?制造缺陷 ?塑料件 ?Si 模具 第八講 小結(jié) ? 在需要對(duì)薄膜材料進(jìn)行圖形化時(shí)，光刻技術(shù)是一個(gè)有力的技術(shù)手段。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 ?涂敷一層氟化碳薄膜 (PPFC)， 以提高脫模的質(zhì)量 ICP 高密度等離子體 Si 刻蝕裝置 . Jo et al. / Surface amp。在后者的情況下，可對(duì)掩膜的圖形縮小 ?10倍 光刻過(guò)程中的暴光 ——GCA 6700 STEPPER 光刻技術(shù)制備的 顯微防偽標(biāo)記 尺度 單位為 5?5?m 光刻流程中的刻蝕 存在兩種刻蝕方法： 濕法（化學(xué)溶劑法） , 干法（等離子體法） ? SiO2層的刻蝕 正負(fù)性的光刻膠技術(shù) ? 光刻膠為對(duì)光敏感的由樹(shù)脂、光敏劑、溶劑組成的有機(jī)化合物混合體 (如 SU8) ? 正性光刻膠在暴光時(shí)被分解而易于被溶去 ? 而負(fù)性光刻膠在暴光時(shí)發(fā)生交聯(lián)而不易于被溶去 以化學(xué)溶劑法實(shí)現(xiàn)光刻圖形時(shí)的情況 ? 優(yōu)點(diǎn)：侵蝕過(guò)程有很強(qiáng)的選擇性 ? 缺點(diǎn)：對(duì) SiO2侵蝕為各向同性過(guò)程 , 形成 “ 香檳杯 ” 形剖面。 在侵蝕深度為 1?m時(shí)，光刻可獲得的最小線寬約為3?m，即在侵蝕深度：線寬比增加時(shí)，須采取各向異性的刻蝕方法 ——應(yīng)用等離子體的各種刻蝕方法 等離子體刻蝕 ? 當(dāng)被刻蝕層的厚度與線寬可以比擬時(shí)，需采用干法刻蝕 ? 由于刻蝕過(guò)程必須是一個(gè)低溫的過(guò)程，因而要借助于等離子體的高活性 ? 對(duì)應(yīng)于制備薄膜材料的 CVD、 PVD技術(shù)，等離子體刻蝕也將表現(xiàn)出其主要是化學(xué)的、或主要是物理的過(guò)程 ? 在某種意義上，等離子體的刻蝕過(guò)程是薄膜沉積過(guò)程的逆過(guò)程 等離子體刻蝕 等離子體的刻蝕實(shí)際上相當(dāng)于 PECVD的逆過(guò)程 等離子體刻蝕的監(jiān)測(cè) 等離子體刻蝕處理的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)可依靠監(jiān)測(cè)等離子體的發(fā)射光譜的方法來(lái)進(jìn)行 如，在刻蝕光刻膠時(shí)，可監(jiān)測(cè) CO在 強(qiáng)度的變化，其他材料的刻蝕也有相應(yīng)的譜線 對(duì)等離子體刻蝕技術(shù)的要求 ? 較高的刻蝕選擇性， Se ? 較高的刻蝕各向異性， A ? 精確的亞微米尺度的線寬，良好的剖面形貌 ? 較快的腐蝕速率 等離子體刻蝕的微觀過(guò)程 等離子體刻蝕時(shí)，涉及七個(gè)微觀過(guò)程： ? 在等離子體中產(chǎn)生活性基團(tuán)（離子、化學(xué)基團(tuán)），如： e+Cl2?2Cl+e ? 活性基團(tuán)從等離子體擴(kuò)散、輸送到表面 ? 活性基團(tuán)化學(xué)吸附到被刻蝕表面 ? 活性基團(tuán)在被刻蝕表面上擴(kuò)散 ? 活性基團(tuán)與表面原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成吸附態(tài)的反應(yīng)產(chǎn)物，如： Cl+Si?SiClx ? 反應(yīng)產(chǎn)物從刻蝕表面脫附 ? 反應(yīng)產(chǎn)物擴(kuò)散離開(kāi)刻蝕表面，被真空系統(tǒng)排除出系統(tǒng) 比較一下： PECVD時(shí) 的微觀過(guò)程 ? 在氣相中 ,發(fā)生活性基團(tuán)形成、擴(kuò)散、反應(yīng)的過(guò)程 ? 在襯底表面 ,發(fā)生吸附、擴(kuò)散、反應(yīng)以及脫附等一系列過(guò)程 CVD過(guò)程 PECVD過(guò)程 與薄膜沉積時(shí)相似，刻蝕過(guò)程也可以由數(shù)值模擬方法加以研究 等離子體刻蝕過(guò)程的速率 即化學(xué)反應(yīng)速率受溫度、濃度、反應(yīng)激活能等動(dòng)力學(xué)因素所控制 如 CVD時(shí)一樣， Si、 SiO2被 化學(xué) 基團(tuán) F所刻蝕的速度也可被描述為 等離子體刻蝕過(guò)程的選擇性 一個(gè)刻蝕過(guò)程的選擇性可用參數(shù) Se表征 即 A， B兩 種物質(zhì)被刻蝕的速率之比。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 ? RF 襯底偏壓 ? ICP 等離子體 壓力 20 m
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