薄膜物理淀積技術(shù)ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-07 13:44本頁(yè)面
【正文】 用下，一部分出現(xiàn)空洞而斷裂，一部分出現(xiàn)Al原子堆積而形成小丘。 主要機(jī)理是，在高電流密度（ ~106A/cm2） Al離子被電子風(fēng)“吹”離晶格位置。 對(duì)策包括， Al膜多晶化、 AlCu等合金、夾心結(jié)構(gòu)、介質(zhì)膜覆蓋和 Cu基材料。 肖特基接觸還大量用于 MESFET器件 AlCu合金工藝（提高抗電遷移能力， ~4%） Cu工藝：抗電遷移能力強(qiáng)、電阻率低、 較少的工藝步驟 通常用濺射（ SPUTTER）方法淀積 Al . 鈦金屬硅化的自對(duì)準(zhǔn)工藝 要點(diǎn)：鈦能與硅形成難腐蝕的低電阻的 TiSi2合金 （工藝難點(diǎn)），而不易與其它介質(zhì)材料形 成化合物。 Al柵的困難 ?m Formation of SelfAligned Metal Silicide (Salicide) 2. Titanium deposition Silicon substrate 1. Active silicon regions Field oxide Spacer oxide Polysilicon Active silicon region 3. Rapid thermal anneal treatment Titaniumsilicon reaction regions 4. Titanium strip TiSi2 formation Chip Performance Issues Related to a Salicide Structure STI TiSi2 STI S G D TiSi2 TiSi2 TiSi2 Reduced sheet resistance Reduced gate to S/D resistance Reduced contact resistance Reduced diode leakage . 光學(xué)薄膜等應(yīng)用
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