磁控濺射鍍膜技術(shù)ppt課件-資料下載頁
2025-01-17 18:24本頁面
【正文】 20nm左右的密密麻麻的小圓丘，而MF顯得很平 雙靶 孿生靶 ? 雙靶的“雙”字，如前所述原文是： twin或 dual都有孿生的意思，而不是簡單的two ? 構(gòu)成雙靶的兩個靶一定要嚴格一致：結(jié)構(gòu)、材料、形狀、尺寸，加工與安裝精度； ? 運用中兩個靶處于同一環(huán)境，壓力及氣體組分、抽氣速率等 3反應濺射與反應濺射滯回曲線 ? 大部分化合物薄膜特別是介質(zhì)膜均由金屬靶通反應氣體，用反應濺射方法制備 ? 在靶電源為恒功率模式下，隨反應氣體（如氧）流量變化（增加或減?。?，靶電壓變化呈非線性，類似磁滯回曲線 硅靶通氧反應濺射制備二氧化硅：靶電壓隨氧氣流量變化曲線有滯回現(xiàn)象（反應濺射的固有特性） 0 20 40 60400450500550600650氧化態(tài)金屬態(tài)電壓(v)氧流量 (SCCM)三種狀態(tài)（金屬態(tài) 過度態(tài) 氧化態(tài)）的特點及濺射速率變化 按不同采樣方法控制方式可分為 : ? 質(zhì)譜法 檢測反應氣體的分壓強來控制反應氣體流量。 ? 等離子體發(fā)射檢測法 (PEM: Plasma Emission Monitor），根據(jù)某種元素（ 通常是金屬離子）特征光譜的強弱變化來對反應氣體進行控制。 ? 利用靶中毒時的外部特征（如靶電位、靶電流）來控制反應氣體流量。 控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性 PEM閉環(huán)控制回路示意圖 等離子體 陰極 氧分壓 可控閥門 接氧氣源 光探頭 濾光片 放大器 控制器 設(shè)定閉環(huán)控制方塊圖真空室內(nèi)靶、布氣、抽氣、基片位置之一 Vacuum PumpMagronReactive gas inletSubstrate真空室內(nèi)靶、布氣、抽氣、基片位置之一 Pla sma Shie ldgas inl etVac uum PumpBa ck PlateSub stra teCa th odes六、射頻磁控濺射 ? 1966年 IBM采用射頻濺射鍍制 SiO2膜 ? 采用 ，注意接地與匹配調(diào)節(jié)。 ? 靶材可以是導電的金屬靶，也可以是絕緣的陶瓷靶，但由于射頻電磁輻射對人體有害，工業(yè)應用僅限于采用絕緣靶材 ? 射頻電磁輻射的屏蔽及靶的設(shè)計及安裝應特別強調(diào)。 請批評指正，謝謝！ 結(jié)束語
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