chap5物理氣相沉積-資料下載頁
2025-01-06 14:19本頁面
【正文】 合金 ， 成分要比蒸發(fā)容易控制 ? 4）改變加在硅片上的偏壓和溫度，可以控制薄膜的許多重要性能，如臺階覆蓋和晶粒結構等。 ? 5）在濺射之前進行預濺射，做一番清潔處理，這樣可以獲得質量更好的薄膜。 19 ? 一 、 濺射特性 ? 1. 濺射閾值： 10~30ev取決于靶材料 ? 2. 濺射率：被濺射出來的原子數(shù)與入射離子數(shù)之比 ， 其大小于入射離子的能量 、 種類 、 靶材料的種類等有關 。 ? 3. 濺射原子的能量和速度 ? 有 5個特點 20 ? 二 、 濺射方法 ? 1. 直流濺射：濺射率低 ， 靶材料有較好導電性時可以很方便的濺射淀積各類金屬薄膜 。 ? 2. 射頻濺射：導電性很差的非金屬材料的濺射 。 ? 3. 磁控濺射：店家速率較高 ， 工作氣體壓力較低 ， 薄膜質量好 ， 是目前應用最廣泛的一種濺射淀積方法 。 ? 4. 反應濺射：在淀積同時形成化合物 。 ? 5. 偏壓濺射：在一般濺射基礎上 ， 加一定偏置電壓在襯底與靶材料之間 ， 改變入射到襯底表面的帶電粒子的數(shù)量和能量 。 21 ? 6. 接觸孔中薄膜的濺射淀積：帶有準直器 。 ? 7. 長投準直濺射技術：不用準直器便能改善接觸孔底部覆蓋效果的濺射技術 。 ? 需要解決的問題： ? 1） 濺射會導致反應室室壁表面凝結靶材料的原子 ， 從而形成污染； ? 2） 遠離硅片中心的通孔存在臺階覆蓋的不對稱性； ? 3） 在低壓下獲得等離子體比較困難 。 22 ? 總結： ? ，分類； ? ，過程； ? ，飽和蒸汽壓； ? ； ? ，其基礎是什么； ? ； ? ，接觸孔中薄膜的濺射淀積方法。
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