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正文內(nèi)容

chap5物理氣相沉積(參考版)

2025-01-09 14:19本頁(yè)面
  

【正文】 。 ? 需要解決的問題: ? 1) 濺射會(huì)導(dǎo)致反應(yīng)室室壁表面凝結(jié)靶材料的原子 , 從而形成污染; ? 2) 遠(yuǎn)離硅片中心的通孔存在臺(tái)階覆蓋的不對(duì)稱性; ? 3) 在低壓下獲得等離子體比較困難 。 21 ? 6. 接觸孔中薄膜的濺射淀積:帶有準(zhǔn)直器 。 ? 4. 反應(yīng)濺射:在淀積同時(shí)形成化合物 。 ? 2. 射頻濺射:導(dǎo)電性很差的非金屬材料的濺射 。 19 ? 一 、 濺射特性 ? 1. 濺射閾值: 10~30ev取決于靶材料 ? 2. 濺射率:被濺射出來的原子數(shù)與入射離子數(shù)之比 , 其大小于入射離子的能量 、 種類 、 靶材料的種類等有關(guān) 。 18 ? 濺射具有以下優(yōu)點(diǎn): ? 1 ) 可在一個(gè)面積很大的靶子上進(jìn)行 , 這樣解決了大尺寸硅片淀積鋁膜厚度均勻性的問題 ? 2 ) 在選定的工作條件下 , 膜厚容易控制 , 只要調(diào)節(jié)時(shí)間就可得到所需厚度 ? 3) 濺射淀積薄膜的合金 , 成分要比蒸發(fā)容易控制 ? 4)改變加在硅片上的偏壓和溫度,可以控制薄膜的許多重要性能,如臺(tái)階覆蓋和晶粒結(jié)構(gòu)等。 ? 1. 直流輝光放電 ? 2. 輝光放電中的碰撞過程 ? 彈性碰撞: ? 非彈性碰撞: ? ( 1) 電離過程; ( 2) 激發(fā)過程; ( 3) 分解反應(yīng) ? 3. 射頻輝光放電 17 濺射 ? 濺射是利用等離子體中的離子 , 對(duì)被濺射物體電極進(jìn)行轟擊 , 使氣相等離子體內(nèi)具有被濺射鍍物的粒子 , 使其淀積到硅片表面并形成薄膜的一種PVD方法 , 因此將高純粒子從某種物質(zhì)的表面撞擊出原子的物理過程叫濺射 。 16 氣體輝光放電 ? 濺射:具有一定能量的入射離子
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