【摘要】第五章物理氣相淀積內(nèi)容?概述?真空技術(shù)?蒸發(fā)?濺射?薄膜淀積機(jī)理概述?形成薄膜技術(shù):薄膜生長技術(shù)、薄膜淀積技術(shù)?薄膜生長技術(shù):專指襯底材料也是形成薄膜的元素之一,(如硅的熱氧化生長二氧化硅)?薄膜淀積技術(shù):薄膜形成過程中不消耗晶片或襯底材料,?薄膜淀積技術(shù)一般可分為兩類:?化學(xué)氣相淀積(
2025-01-18 02:42
【摘要】集成電路制造技術(shù)第五章物理氣相淀積西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院戴顯英2022年3月第五章物理氣相淀積?PVD:physicalvapordeposition?淀積特點(diǎn):物理過程;?技術(shù):①蒸發(fā):早期工藝制備金屬薄膜;②濺射:已取代蒸發(fā)。真空蒸發(fā)的基
2025-05-04 12:09
【摘要】第五章物理氣相淀積物理氣相淀積—PVD(physicalvapordeposition)—利用某種物理過程(蒸發(fā)或?yàn)R射),實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移,即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底(硅)表面上,淀積成薄膜。淀積特點(diǎn):物理過程技術(shù):①真空蒸發(fā):優(yōu)點(diǎn):淀積速率較高,相對(duì)高的真空度,薄膜質(zhì)量較好缺點(diǎn):臺(tái)階覆蓋能力差,淀積
2025-05-15 12:31
【摘要】集成電路制造技術(shù)第六章化學(xué)氣相淀積西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院戴顯英2022年3月第六章化學(xué)氣相淀積?化學(xué)氣相淀積:CVD,ChemicalVapourDeposition。通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng),在襯底上
2025-01-17 10:07
【摘要】第六章化學(xué)氣相淀積主講:毛維西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院概述?化學(xué)氣相淀積:CVD——ChemicalVapourDeposition。?定義:一種或數(shù)種物質(zhì)的氣體,以某種方式激活后,在襯底發(fā)生化學(xué)反應(yīng),并淀積出所需固體薄膜的生長技術(shù)。
2025-05-07 18:29
【摘要】2022/6/21化學(xué)氣相淀積定義:指使一種或數(shù)種物質(zhì)的氣體,以某種方式激活后,在襯底發(fā)生化學(xué)反應(yīng),并淀積出所需固體薄膜的生長技術(shù)。其英文原名為“ChemicalVapourDeposition”,簡稱為“CVD”。本章主要內(nèi)容:CVD薄膜的動(dòng)力學(xué)模型、常用系統(tǒng)及制備常用薄膜的工藝。第六章化學(xué)氣相淀積2022/
2025-05-08 12:06
【摘要】第八章氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù):發(fā)展迅速,應(yīng)用廣泛→→表面成膜技術(shù)application→→制備各種特殊力學(xué)性能的薄膜涂層,如超硬、高耐蝕、耐熱和抗氧化等。制備各種功能薄膜材料和裝飾薄膜涂層等。超硬薄膜涂層等。since1970s→→薄膜技術(shù)和薄膜材料→→發(fā)展突
2025-05-06 22:09
【摘要】第九章:薄膜物理淀積技術(shù)MetalLayersinaChipMultilevelMetallizationonaULSIWaferPassivationlayerBondingpadmetalp+SiliconsubstrateViaILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3
2025-05-10 13:44
【摘要】物理氣相沉積技術(shù)第八章低維材料?定義:二維、一維和零維材料,統(tǒng)稱低維材料。?二維材料:是指當(dāng)材料的任一維度,如Z方向的尺寸小到納米量級(jí),則此材料就成為X,Y方向延展的二維材料?!∧げ牧?納米薄膜)?一維材料:當(dāng)材料在Z方向縮小的同時(shí),Y方向也縮小到納米尺度?!址Q量子線,納米管?零維材料:當(dāng)材料
2025-05-04 12:11
2025-05-06 22:11
【摘要】在集成電路制造工藝中,常常需要在硅片的表面淀積各種固體薄膜。薄膜厚度一般在納米到微米的數(shù)量級(jí),薄膜材料可以是金屬、半導(dǎo)體或絕緣體。淀積薄膜的主要方法熱氧化(常壓熱氧化、分壓熱氧化、高壓熱氧化等)物理淀積(真空蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜、分子束外延等)化學(xué)汽相淀積(CVD
2025-01-17 00:19
【摘要】第十一章薄膜淀積?熱氧化?介質(zhì)淀積?多晶硅淀積?金屬化?總結(jié)熱氧化熱氧化生長的機(jī)制下列為Si在氧氣或水氣的環(huán)境下,進(jìn)行熱氧化的化學(xué)反應(yīng)式:Si(固體)+O2(氣體)→SiO2(固體)(1)Si厚度/SiO2=了解晶
2025-05-10 13:43
【摘要】1Chap5物理氣相沉積?PVD是以物理方式進(jìn)行薄膜淀積的一種技術(shù)。在集成電路生產(chǎn)中,金屬薄膜在歐姆接觸、互連、柵電極和肖特基二極管等方面,都有很廣泛的應(yīng)用。?PVD有兩種方法:蒸鍍法(EvaporationDeposition)和濺鍍法(SputteringDeposition)。
2025-01-09 14:19
【摘要】山麓——洪積相山麓——洪積相(一)概念及形成過程1、概念山麓—洪積相出現(xiàn)于大陸地區(qū)山前帶,常環(huán)繞山脈沿山麓大面積分布。它是由大大小小的沖積扇和充填其間的山麓坡積、墜積物組合而成,屬大陸相組的一個(gè)組成部分。通常來說,造山作用越強(qiáng)、地形高差越大、氣候越干旱的地區(qū),山麓—洪積相就越發(fā)育。山麓——洪積相
2025-05-12 22:08
【摘要】熱學(xué)是研究與熱現(xiàn)象有關(guān)的規(guī)律的科學(xué)。熱現(xiàn)象是物質(zhì)中大量分子無規(guī)則運(yùn)動(dòng)的集體表現(xiàn)。大量分子的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)稱為熱運(yùn)動(dòng)。常見的一些現(xiàn)象:1、一壺水開了,水變成了水蒸氣。2、溫度降到0℃以下,液體的水變成了固體的冰塊。3、氣體被壓縮,產(chǎn)生壓強(qiáng)。4、物體被加熱,物體的溫度升高。熱現(xiàn)象熱物理學(xué)宏觀法與微觀法相輔相
2024-11-14 06:22