【摘要】集成電路制造技術(shù)第六章化學氣相淀積西安電子科技大學微電子學院戴顯英2022年3月第六章化學氣相淀積?化學氣相淀積:CVD,ChemicalVapourDeposition。通過氣態(tài)物質(zhì)的化學反應,在襯底上
2025-01-20 10:07
【摘要】第六章化學氣相淀積主講:毛維西安電子科技大學微電子學院概述?化學氣相淀積:CVD——ChemicalVapourDeposition。?定義:一種或數(shù)種物質(zhì)的氣體,以某種方式激活后,在襯底發(fā)生化學反應,并淀積出所需固體薄膜的生長技術(shù)。
2025-05-10 18:29
【摘要】2022/6/21化學氣相淀積定義:指使一種或數(shù)種物質(zhì)的氣體,以某種方式激活后,在襯底發(fā)生化學反應,并淀積出所需固體薄膜的生長技術(shù)。其英文原名為“ChemicalVapourDeposition”,簡稱為“CVD”。本章主要內(nèi)容:CVD薄膜的動力學模型、常用系統(tǒng)及制備常用薄膜的工藝。第六章化學氣相淀積2022/
2025-05-11 12:06
【摘要】第八章氣相沉積技術(shù)氣相沉積技術(shù):發(fā)展迅速,應用廣泛→→表面成膜技術(shù)application→→制備各種特殊力學性能的薄膜涂層,如超硬、高耐蝕、耐熱和抗氧化等。制備各種功能薄膜材料和裝飾薄膜涂層等。超硬薄膜涂層等。since1970s→→薄膜技術(shù)和薄膜材料→→發(fā)展突
2025-05-09 22:09
【摘要】第九章:薄膜物理淀積技術(shù)MetalLayersinaChipMultilevelMetallizationonaULSIWaferPassivationlayerBondingpadmetalp+SiliconsubstrateViaILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3
2025-05-13 13:44
【摘要】物理氣相沉積技術(shù)第八章低維材料?定義:二維、一維和零維材料,統(tǒng)稱低維材料。?二維材料:是指當材料的任一維度,如Z方向的尺寸小到納米量級,則此材料就成為X,Y方向延展的二維材料?!∧げ牧?納米薄膜)?一維材料:當材料在Z方向縮小的同時,Y方向也縮小到納米尺度?!址Q量子線,納米管?零維材料:當材料
2025-05-07 12:11
2025-05-09 22:11
【摘要】在集成電路制造工藝中,常常需要在硅片的表面淀積各種固體薄膜。薄膜厚度一般在納米到微米的數(shù)量級,薄膜材料可以是金屬、半導體或絕緣體。淀積薄膜的主要方法熱氧化(常壓熱氧化、分壓熱氧化、高壓熱氧化等)物理淀積(真空蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜、分子束外延等)化學汽相淀積(CVD
2025-01-20 00:19
【摘要】第十一章薄膜淀積?熱氧化?介質(zhì)淀積?多晶硅淀積?金屬化?總結(jié)熱氧化熱氧化生長的機制下列為Si在氧氣或水氣的環(huán)境下,進行熱氧化的化學反應式:Si(固體)+O2(氣體)→SiO2(固體)(1)Si厚度/SiO2=了解晶
2025-05-13 13:43
【摘要】1Chap5物理氣相沉積?PVD是以物理方式進行薄膜淀積的一種技術(shù)。在集成電路生產(chǎn)中,金屬薄膜在歐姆接觸、互連、柵電極和肖特基二極管等方面,都有很廣泛的應用。?PVD有兩種方法:蒸鍍法(EvaporationDeposition)和濺鍍法(SputteringDeposition)。
2025-01-12 14:19
【摘要】山麓——洪積相山麓——洪積相(一)概念及形成過程1、概念山麓—洪積相出現(xiàn)于大陸地區(qū)山前帶,常環(huán)繞山脈沿山麓大面積分布。它是由大大小小的沖積扇和充填其間的山麓坡積、墜積物組合而成,屬大陸相組的一個組成部分。通常來說,造山作用越強、地形高差越大、氣候越干旱的地區(qū),山麓—洪積相就越發(fā)育。山麓——洪積相
2025-05-15 22:08
【摘要】熱學是研究與熱現(xiàn)象有關(guān)的規(guī)律的科學。熱現(xiàn)象是物質(zhì)中大量分子無規(guī)則運動的集體表現(xiàn)。大量分子的無規(guī)則運動稱為熱運動。常見的一些現(xiàn)象:1、一壺水開了,水變成了水蒸氣。2、溫度降到0℃以下,液體的水變成了固體的冰塊。3、氣體被壓縮,產(chǎn)生壓強。4、物體被加熱,物體的溫度升高。熱現(xiàn)象熱物理學宏觀法與微觀法相輔相
2024-11-18 06:22
【摘要】Confidential引言隨著特征尺寸越來越小,在當今的高級微芯片加工過程中,需要6層甚至更多的金屬來做連接,各金屬之間的絕緣就顯得非常重要,所以在芯片制造過程中,淀積可靠的薄膜材料至關(guān)重要。ConfidentialULSI硅片
2025-05-04 01:33
【摘要】薄膜的物理氣相沉積1第三章薄膜的物理氣相沉積(Ⅱ)——濺射法及其他PVD方法薄膜的物理氣相沉積2濺射法:帶有電荷的離子被電場加速后具有一定動能,將離子引向欲被濺射的靶電極。在離子能量合適的情況下,入射離子在與靶表面原子的碰撞過程中將后者濺射出來。濺射原子帶有一定動能,且沿一定方向射
2025-01-13 07:53
【摘要】浮法在線化學汽相淀積鍍膜技術(shù)手冊秦皇島玻璃工業(yè)研究設計院一九九六年五月一、化學汽相淀積法鍍膜原理化學汽相淀積(CVD)工藝已成為膜制備方法中很重要的一類。本質(zhì)上,CVD是一種材料的合成法。在這種方法中蒸汽相成份以化學方法反應形成固體薄膜,
2024-09-07 17:45