物理氣相沉積ppt課件-文庫吧資料
2025-05-09 22:09本頁面
【正文】 變形問題，而離子鍍可在 900℃ 下進行，可作為成品件的最終處理工序。 離子鍍的技術(shù)基礎是真空蒸鍍，其過程包括鍍膜材料的受熱，蒸發(fā)，離子化和電場加速沉積的過程。 TiN， TiC， Al2O3等膜層化學性能穩(wěn)定，在許多 介質(zhì)中具有良好的耐蝕性，可作基體材料保護膜。 電鍍會使鋼發(fā)生氫脆、速率 慢，而且會產(chǎn)生環(huán)境污 染問題。 采用 Cr， CrCrN等合金 靶或鑲嵌靶，在 N2, CH4等氣氛中進行反應濺射鍍 膜，可以在各種工件 上鍍 Cr,CrC,CrN等鍍層。 三、濺射的用途 濺射薄膜按其不同的功能和應用可大致分為機械 功能膜和物理功能膜兩大類。 濺射是物理氣相沉積技術(shù)中最容易控制合金成分 的方法。如果在通入的氣體中摻入 易與靶材發(fā)生反應的氣體（如 O2， N2等），因而 能沉積制得靶材的化合物膜（如靶材氧化物，氮化 物等化合物薄膜）。 （ 4）反應濺射 在陰極濺射中，真空槽中需要充入氣體作為媒 介，使輝光放電得以啟動和維持。具有沉積速 率、基片的溫升低、對膜層的損傷小等優(yōu)點。 磁控濺射目前已在工業(yè)生產(chǎn)中實際應用。 （ 3）磁控濺射 磁控濺射是 70年代迅速發(fā)展起來的新型濺射技術(shù)。 （ 2）三極濺射 三極濺射是在二極濺射的裝置上附加一個電極 — 熱陰極，發(fā)射熱電子，熱電子在電場吸引下穿過靶與基極間的等離子體區(qū)，使熱電子強化放電，它既能使濺射速率有所提高，又能使濺射工況的控制更為方便。 靶材 基材 陽極 陰極 輝光放電產(chǎn)生離子 濺射氣體 Ar 直流二極濺射 這種裝置的最大優(yōu)點是結(jié)構(gòu)簡單，控制方便。工作時 先抽真空，再通氬氣，使真空室內(nèi)達到濺射氣壓。 以鍍膜材料為陰極，而被鍍膜材料為陽極。用離子束 轟擊靶而發(fā)生的濺射，則稱為 離子束濺射 。 在濺射鍍膜中，被轟擊的材料稱為靶。 此法主要用于鋁的大量蒸發(fā)，得到的膜層純凈而且不受帶電粒子的損害。一般用于電子原件和半導體用的鋁和鋁合金，此外，用電子束加熱也可以使高熔點金屬（如 W， Mo， Ta等）熔化、蒸發(fā)。 電阻加熱蒸發(fā)源 2. 電子束加熱：即用高能電子束直接轟擊蒸發(fā)物質(zhì)的表面，使其蒸發(fā)。常用鎢、鉬、鉭等高熔點金屬材料。 蒸鍍方法主要有下列幾種： ：讓大電流通過蒸發(fā)源，加熱待鍍材 料，使其蒸發(fā)的簡單易行的方法。 蒸發(fā)鍍膜是物理氣相沉積的一種，與濺射鍍膜和離 子鍍膜相比有如下優(yōu)缺點： 設備簡單可靠、工藝容易掌握、可進行大規(guī)模生產(chǎn)， 鍍膜的形成機理比較簡單，多數(shù)物質(zhì)均可采用真空 蒸發(fā)鍍膜； 但鍍層與基片的結(jié)合力差，高熔點物質(zhì)和低蒸氣 壓物質(zhì)的鍍膜很難制作，如鉑、鋁等金屬，蒸發(fā) 物質(zhì)所用坩堝材料也會蒸發(fā)，混入鍍膜之中成為 雜質(zhì)。 一、蒸發(fā)原理 在高真空中用加熱蒸發(fā)的方法使鍍料轉(zhuǎn)化為 氣相，然后凝聚在基體表面的方法稱蒸發(fā)鍍膜 （簡稱蒸鍍）。 蒸發(fā)鍍膜 蒸發(fā)鍍是 PVD方法中最早用于工業(yè)生產(chǎn)的一種， 該方法工藝成熟，設備較完善，低熔點金屬蒸發(fā) 效果高，可用于制備介質(zhì)膜、電阻、電容等，也
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