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化學氣相淀積ppt課件-文庫吧資料

2025-01-20 10:07本頁面
  

【正文】 O2; ? 回流溫度: 850 ℃ ; CVD Si3N4 ? Si3N4薄膜的用途: ①最終鈍化膜和機械保護膜:淀積溫度低;能有效阻擋水、鈉 離子及 B、 P、 As、等各種雜質(zhì)的擴散;有很強的抗劃傷能力; ②選擇性氧化的掩蔽膜: Si3N4很難氧化 ; ③ MOSFETs中的側(cè)墻: LDD(輕摻雜源漏)結(jié)構(gòu)的側(cè)墻; 自對準硅化物的鈍化層側(cè)墻; ④淺槽隔離的 CMP停止層。 CVD二氧化硅 2. 中溫 LPCVD SiO2 ? 溫度: 680730℃ ? 化學反應: Si(OC2H5)4 → SiO2+2H2O+4C2H4 ? 優(yōu)點:較好的保形覆蓋。 CVD二氧化硅 ② 液態(tài) TEOS源: PECVD ? 淀積機理: Si(OC2H5)4+O2 250425℃ SiO2+H2O+CXHY ? 優(yōu)點:安全、方便;厚度均勻;臺階覆蓋好。 ? 多晶硅摻雜 ①擴散:電阻率低;溫度高; ②離子注入 :電阻率是擴散的 10倍; ③原位摻雜:淀積過程(模型)復雜; ? 實際應用 CVD二氧化硅 CVD SiO2的方法 1. 低溫 CVD ① 氣態(tài) 硅烷源 ? 硅烷和氧氣: APCVD、 LPCVD、 PECVD 淀積機理 : SiH4+O2 ~400℃ SiO2 (固) +H2 ? 硅烷和 N2O( NO) : PECVD 淀積機理 : SiH4+N2O 200400℃ SiO2+N2+H2O ? 原位摻 P:形成 PSG 淀積機理 : PH3(g)+5O2=2P2O5(固 )+6H2 優(yōu)點:溫度低;反應機理簡單。 ? 缺點: SiH4易氣相分解。 CVD多晶硅 ? 工藝: LPCVD; ? 氣體源:氣態(tài) SiH4; ? 淀積過程: ①吸附: SiH4( g)→ SiH 4(吸附 ) ② 熱分解: SiH4(吸附 ) = SiH2(吸附 )+H2(g) SiH2(吸附 ) = Si(吸附 )+H2( g) ③ 淀積: Si(吸附 )= Si(固 ) ④ 脫吸、逸出: SiH H2脫離表面,逸出反應室。 ②晶粒間界具有高密度缺陷和懸掛鍵。 ? 優(yōu)點:溫度低( 200- 350℃ );更高的淀積速率; 附著性好;臺階覆蓋好;電學特性好; ? 缺點:產(chǎn)量低; ? 淀積薄膜:金屬化后的鈍化膜( Si3N4 );多層布 線的介質(zhì)膜( Si3N4 、 SiO2)。 CVD技術(shù) 3. PECVD(等離子體增強化學氣相淀積) ? 淀積原理 : RF激活氣體分子(等離子體),使其在低溫 (室溫)下發(fā)生化學反應,淀積成膜。 ? 缺點: 相對 淀積速率低; 相對 溫度高。 3- 5%,常壓: 177。 ? 淀積機理:表面反應控制過程。 ? 淀積薄膜: Si外延薄膜; SiO polySi、 Si3N4薄膜。 CVD系統(tǒng) 質(zhì)量流量控制系統(tǒng) ? 作用:精確控制氣體流量( ml/s); ? 操作:單片機程序控制; ? 作用:控制氣體輸運;
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