【摘要】集成電路制造技術(shù)第五章物理氣相淀積西安電子科技大學微電子學院戴顯英2022年3月第五章物理氣相淀積?PVD:physicalvapordeposition?淀積特點:物理過程;?技術(shù):①蒸發(fā):早期工藝制備金屬薄膜;②濺射:已取代蒸發(fā)。真空蒸發(fā)的基
2025-05-07 12:09
【摘要】第五章物理氣相淀積內(nèi)容?概述?真空技術(shù)?蒸發(fā)?濺射?薄膜淀積機理概述?形成薄膜技術(shù):薄膜生長技術(shù)、薄膜淀積技術(shù)?薄膜生長技術(shù):專指襯底材料也是形成薄膜的元素之一,(如硅的熱氧化生長二氧化硅)?薄膜淀積技術(shù):薄膜形成過程中不消耗晶片或襯底材料,?薄膜淀積技術(shù)一般可分為兩類:?化學氣相淀積(
2025-01-21 02:42
【摘要】第五章物理氣相淀積物理氣相淀積—PVD(physicalvapordeposition)—利用某種物理過程(蒸發(fā)或濺射),實現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移,即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底(硅)表面上,淀積成薄膜。淀積特點:物理過程技術(shù):①真空蒸發(fā):優(yōu)點:淀積速率較高,相對高的真空度,薄膜質(zhì)量較好缺點:臺階覆蓋能力差,淀積
2025-05-18 12:31
【摘要】化學氣相沉積ChemicalVaporDeposition,CVD主要內(nèi)容:?CVD的基本原理?CVD的特點?CVD方法?CVD的現(xiàn)狀和展望一、CVD的基本原理化學氣相沉積(ChemicalVaporDeposition,CVD)利用氣態(tài)物質(zhì)在一固體表面上進行化學反應,生成固態(tài)沉積物
2025-05-12 12:13
【摘要】第十一章薄膜淀積?熱氧化?介質(zhì)淀積?多晶硅淀積?金屬化?總結(jié)熱氧化熱氧化生長的機制下列為Si在氧氣或水氣的環(huán)境下,進行熱氧化的化學反應式:Si(固體)+O2(氣體)→SiO2(固體)(1)Si厚度/SiO2=了解晶
2025-05-13 13:43
【摘要】第4章化學氣相沉積化學氣相沉積合成方法發(fā)展?化學氣相沉積乃是通過化學反應的方式,利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源,在反應器內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學反應形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。?化學氣相沉積的英文詞原意是化學蒸汽沉積(ChemicalVaporDeposition,CVD),因為很多反應物
2025-01-20 09:59
【摘要】ChemicalVaporDeposition化學氣相沉積WhatistheDeposition?GasLiquidSolidCondensationVaporization1、基本介紹?氣相沉積技術(shù):?化學氣相沉積法(ChemicalVaporDeposition
2025-01-20 09:49
【摘要】第九章:薄膜物理淀積技術(shù)MetalLayersinaChipMultilevelMetallizationonaULSIWaferPassivationlayerBondingpadmetalp+SiliconsubstrateViaILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3
2025-05-13 13:44
【摘要】浮法在線化學汽相淀積鍍膜技術(shù)手冊秦皇島玻璃工業(yè)研究設計院一九九六年五月一、化學汽相淀積法鍍膜原理化學汽相淀積(CVD)工藝已成為膜制備方法中很重要的一類。本質(zhì)上,CVD是一種材料的合成法。在這種方法中蒸汽相成份以化學方法反應形成固體薄膜,
2024-09-07 17:45
【摘要】山麓——洪積相山麓——洪積相(一)概念及形成過程1、概念山麓—洪積相出現(xiàn)于大陸地區(qū)山前帶,常環(huán)繞山脈沿山麓大面積分布。它是由大大小小的沖積扇和充填其間的山麓坡積、墜積物組合而成,屬大陸相組的一個組成部分。通常來說,造山作用越強、地形高差越大、氣候越干旱的地區(qū),山麓—洪積相就越發(fā)育。山麓——洪積相
2025-05-15 22:08
【摘要】第二章氣相色譜分析§2-1概述一、色譜(層析)法基本原理流動著的載體(流動相),“推動”被分析的樣品(混合物或純凈物)向前運動(移動)。運動過程中,被分析的樣品不斷地在流動相和固定不動的、與流動相接觸的物質(zhì)(固定相)之間進行交換(分配)。由于不同的被測成分
2025-01-20 23:02
【摘要】10氣相沉積技術(shù)教學目的和要求學習蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜、離子鍍膜、化學氣相沉積等氣相沉積技術(shù)的基本原理、主要特點、常見方法(技術(shù)種類),薄膜的形成過程等。重點掌握各種氣相沉積技術(shù)的基本原理、主要特點。參考書:楊邦朝、王文生,薄膜物理與技術(shù),電子科技大學出版社,1994前言一、薄膜材料的定義
2025-05-18 04:31
【摘要】第五章氣固相體系的物相轉(zhuǎn)化與化學加工四川大學化工學院氣固相體系的物相轉(zhuǎn)化與化學加工氣-固相體系進行的化學反應情況:一:固體物質(zhì)要參與反應且被消耗。如燃燒過程;二:是固體物質(zhì)參與化學反應但是本身并不消耗。氣-固相催化反應體系。氣固相間化工過程的一般特點在反應和分離中
2025-05-05 03:34
【摘要】為什么用氣相色譜?IfyoucandoitbyGC,YoushoulddoitbyGC.如果你能用氣相色譜完成,你就應該用氣相色譜完成。?氣相色譜可分析的有機物占目前發(fā)現(xiàn)總有機物的15~20%。
2025-01-21 17:43
【摘要】在集成電路制造工藝中,常常需要在硅片的表面淀積各種固體薄膜。薄膜厚度一般在納米到微米的數(shù)量級,薄膜材料可以是金屬、半導體或絕緣體。淀積薄膜的主要方法熱氧化(常壓熱氧化、分壓熱氧化、高壓熱氧化等)物理淀積(真空蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜、分子束外延等)化學汽相淀積(CVD
2025-01-20 00:19