化學氣相沉積ppt課件-資料下載頁
2025-05-06 12:13本頁面
【正文】 與 PCVD相比， LCVD可避免高能粒子輻照對薄膜 的損傷，更好的控制薄膜的結(jié)構(gòu)，提高薄膜的純度 ?LCVD的應用 LCVD是近年來迅速發(fā)展的先進表面沉積技術(shù)，其應用前景廣闊。在太陽能電池、超大規(guī)模集成電路、特殊的功能膜及光學膜、硬膜及超硬膜等方面都有重要的應用。 金屬有機化合物化學氣相沉 (MOCVD) ? MOCVD是利用金屬有機化合物熱分解反應進行氣相外延生長 的方法，即把含有外延材料組分的金屬有機化合物和氫化物（或其他反應氣體）作為原料氣體輸運到反應室，在一定的溫度下進行外延生長形成薄膜。 ? 金屬有機化合物可在較低溫度下熱解或光解，沉積出金屬、氧化物、氮化物、硫化物等，特別是化合物半導體無機膜（包括單晶體外延膜、多晶膜和非晶膜）。 Ⅴ ? MOCVD可構(gòu)成復合結(jié)構(gòu)的表面膜，創(chuàng)造出新的功能材料。 ? 與常規(guī) CVD相比， MOCVD的特點主要是： ①沉積溫度低 ②能沉積單晶、多晶、非晶的多層和超薄膜 ③可大規(guī)模低成本制備復雜組分的薄膜和化合物 半導體材料 ④沉積速度慢，僅適宜沉積微米級的表面層 ⑤原料的毒性較大 ? MOCVD的應用 MOCVD作為氣相外延獨特的沉積技術(shù)，主要應用于 Ⅲ ~Ⅴ 族 及 Ⅱ ~Ⅵ 族半導體化合物材料 的氣相外延。除此之外，當襯底不能承受熱 CVD所需要的高溫時， MOCVD也用于沉積各種金屬、氧化物、硅化物和碳化物等涂層。 四、 CVD的現(xiàn)狀和展望 ?氣相沉積膜附著力強，厚度均勻，質(zhì)量好，沉積速率快，選材廣，環(huán)境污染輕，可以滿足許多現(xiàn)代工業(yè)、科學發(fā)展提出的新要求，因而發(fā)展相當迅速。它能制備耐磨膜、潤滑膜、耐蝕膜、耐熱膜、裝飾膜以及磁性膜、光學膜、超導膜等功能膜，因而在機械制造工業(yè)電子、電器、通訊、航空航天、原子能、輕工等部門得到廣泛的應用。 ?化學氣相沉積作為一種非常有效的材料表面改性方法 ,具有十分廣闊的發(fā)展應用前景。隨著工業(yè)生產(chǎn)要求的不斷提高 , CVD 的工藝及設(shè)備得到不斷改進 , 現(xiàn)已獲得了更多新的膜層 , 并大大提高了膜層的性能和質(zhì)量， 它對于提高材料的使用壽命、改善材料的性能、節(jié)省材料的用量等方面起到了重要的作用 ,下一步將向著沉積溫度更低、有害生成物更少、規(guī)模更大等方向發(fā)展。隨著各個應用領(lǐng)域要求的不斷提高 , 對化學氣相沉積的研究也將進一步深化 ,CVD 技術(shù)的發(fā)展和應用也將跨上一個新的臺階。
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