【正文】 不容易失去電子，在這六種元素中，最易得電子的是F，所以其電離能最高；(2)由分析可知C為Mg，D為Al，鎂原子最外層3s軌道處于全滿狀態(tài)，是相對(duì)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，故第一電離能：MgAl；(3)同主族元素的原子電負(fù)性從上到下逐漸減小，同一周期元素原子的電負(fù)性從左到右逐漸增大，所以六原子的電負(fù)性順序是：Mg＜Al＜P＜S＜O＜F；(4)活潑金屬氧化物大多是離子化合物，非金屬氧化物大多是共價(jià)化合物，所以MgO、Al2O3為離子化合物，P2OSO3為共價(jià)化合物?！军c(diǎn)睛】本題主要考查了位置、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系的綜合應(yīng)用，題目難度中等，元素推斷是解題的關(guān)鍵，試題知識(shí)點(diǎn)較多、綜合性較強(qiáng)，充分考查學(xué)生的分析能力及靈活應(yīng)用能力，注意熟練掌握元素周期表結(jié)構(gòu)、元素周期律內(nèi)容。10．正四面體形 CHNH4＋ (BO2)nn sp sp2 氫鍵、共價(jià)鍵、范德華力 【解析】【分析】（1）B位于周期表中第2周期，第ⅢA族，同周期主解析：正四面體形 CHNH4＋ (BO2)nn sp sp2 氫鍵、共價(jià)鍵、范德華力 【解析】【分析】（1）B位于周期表中第2周期，第ⅢA族，同周期主族元素，隨著原子序數(shù)的增大，第一電離能有增大的趨勢(shì)，但第ⅡA族和第ⅤA族元素反常；（2）硼化合物是典型的缺電子結(jié)構(gòu)化合物，H3BO3也屬于缺電子化合物，可接受OH的一對(duì)孤電子對(duì)形成B（OH）4，根據(jù)VSEPR理論說(shuō)明空間構(gòu)型，等電子體是指原子數(shù)目相同，價(jià)電子總數(shù)相同的微粒；（3）根據(jù)均攤思想分析偏硼酸根離子的化學(xué)式，根據(jù)雜化軌道理論判斷五硼酸根離子中B原子的雜化方式；（4）硼酸晶體是片層結(jié)構(gòu)，硼酸分子內(nèi)存在共價(jià)鍵，分子間存在氫鍵，分子之間還存在范德華力，晶胞是無(wú)隙并置的，不能通過(guò)旋轉(zhuǎn)得到，同一層內(nèi)，存在一組相反的基本結(jié)構(gòu)單元；（5）根據(jù)立體幾何知識(shí)書(shū)寫(xiě)原子坐標(biāo)?！驹斀狻浚?）B是第5號(hào)元素，基態(tài)B原子的價(jià)電子為2s22p1，價(jià)電子的軌道表達(dá)式為，第二周期第一電離能比B高的元素有Be、C、N、O、F、Ne等6種。故答案為：，6；（2）B易形成配離子，如[B(OH)4]、[BH4]等。[B(OH)4]的中心原子形成4個(gè)σ鍵，其中有一個(gè)是配位鍵，由O原子提供了孤對(duì)電子，其結(jié)構(gòu)式為，其中心原子B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，故其VSEPR模型為正四面體形， [BH4]的等電子體有CHNH4+等。 （3）由圖1可知，偏硼酸根中每個(gè)B形成3個(gè)共價(jià)鍵、每個(gè)O形成2個(gè)共價(jià)鍵，所以平均每個(gè)B原子結(jié)合2個(gè)O原子，由B和O的化合價(jià)分別為+3和2可知，其化學(xué)式可表示為；由圖2可知，五硼酸根離子中有2種B原子，一種形成4個(gè)共價(jià)鍵，另一種形成3個(gè)共價(jià)鍵，故其中B原子的雜化方式為spsp2。（4）硼酸晶體是片層結(jié)構(gòu)的分子晶體，由圖3可知，同一層微粒間存在的作用力有氫鍵、共價(jià)鍵，范德華力等3種；故答案為： 氫鍵、共價(jià)鍵，范德華力；（5）若建立如圖5所示的坐標(biāo)系，x與y兩軸的夾角為120?，以A為坐標(biāo)原點(diǎn)，把晶胞的底邊邊長(zhǎng)和高都視作單位1，則B、C的坐標(biāo)分別為B(1，0，0)、c(0，0，1)，由圖可知，D點(diǎn)與A、B以及底面右下角等3個(gè)點(diǎn)構(gòu)成一個(gè)正四面體，D點(diǎn)位于其頂點(diǎn)，其高度為晶胞高度的一半。由D點(diǎn)向底面作垂線，垂足為中線的三等分點(diǎn)，則垂足的坐標(biāo)為(，0)，所以D點(diǎn)的坐標(biāo)為D（）?！军c(diǎn)睛】本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)，主要考查了原子核外電子排布的表示方法、第一電離能的遞變規(guī)律、雜化軌道理論、價(jià)鍵類型判斷以及有關(guān)晶胞計(jì)算。本題（4）、（5）兩問(wèn)難度較大，需要有扎實(shí)的晶體化學(xué)知識(shí)，靈活運(yùn)用均攤法，同時(shí)也要有足夠的空間想象能力和立體幾何知識(shí)。另外，對(duì)于六方晶胞，需要注意區(qū)別于立方晶胞，思維需改變過(guò)來(lái)，否則就會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的錯(cuò)誤。11．1s22s22p3 Mg、Si BNNaCl SiCl4 分子間存在氫鍵 正四面體 三角錐形 12 面心立方堆積 a Cu3N解析：1s22s22p3 Mg、Si BNNaCl SiCl4 分子間存在氫鍵 正四面體 三角錐形 12 面心立方堆積 a Cu3N Cu3N+4HCl= NH4Cl+3CuCl↓ 【解析】【分析】A是空氣中含量最高的元素則A為N； D、E元素的基態(tài)原子3p能級(jí)上都有兩個(gè)未成對(duì)電子，則核外電子排布式為1s22s22p63s23p2或1s22s22p63s23p4，故D為Si、E為S，B是同周期中原子半徑最大的元素，則B是Na；C原子的最外層電子數(shù)與核外電子層數(shù)相等，則C為Al；F原子的外圍電子排布為(n1)d10ns1，則F為29號(hào)元素Cu?！驹斀狻?1)A為N元素，基態(tài)原子核外電子的軌道表達(dá)式為1s22s22p3；C為Al，E為S，P最外層為半充滿狀態(tài)所以第一電離能大于S，Mg的3s軌道為全滿狀態(tài)，所以第一電離能大于Al，所以介于Al和S之間的元素有Mg、Si；(2)A與硼元素按原子個(gè)數(shù)比為1∶1形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)化合物為BN；為原子晶體，B的氯化物為NaCl，為離子晶體；D的氯化物為SiCl4，為分子晶體，所以熔點(diǎn)由高到低為：BNNaCl SiCl4；(3)A的最簡(jiǎn)單氫化物為NH3，分子間存在氫鍵，溶液液化；E的次高價(jià)含氧酸根為SO32，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，孤電子對(duì)數(shù)為1，所以其VSEPR模型為正四面體，空間構(gòu)型為三角錐形；(4)①根據(jù)圖示可知該堆積方式為面心立方堆積，以頂點(diǎn)的原子分析，位于面心的原子與之相鄰，1個(gè)頂點(diǎn)原子為12個(gè)面共用，故配位數(shù)為12；②據(jù)圖可知面對(duì)角線上的三個(gè)晶胞相切，所以有(4r)2=2a2，解得r=a pm；該晶胞中所含F(xiàn)原子的個(gè)數(shù)為，所以質(zhì)量m=g，晶胞體積為V=a3 pm3=a31030cm3，所以密度；(5)A為N，F(xiàn)為Cu，據(jù)圖可知一個(gè)晶胞中含有Cu原子的個(gè)數(shù)為=3，含有N原子的個(gè)數(shù)為=1，所以該晶體的化學(xué)式為Cu3N；全部由非金屬元素組成的離子化合物應(yīng)為NH4Cl，氮、氯元素的化合價(jià)沒(méi)有發(fā)生變化，生成的沉淀為白色可知不是銅單質(zhì)，則銅元素化合價(jià)不變，白色沉淀為CuCl，所以該反應(yīng)的化學(xué)方程式為：Cu3N+4HCl= NH4Cl+3CuCl↓。12．3s23p2 M sp2 Mg BC 3845 498 738 【解析】【分析】（1）Si的原子序數(shù)是14，Mg的原子序數(shù)是12，根據(jù)核解析：3s23p2 M sp2 Mg BC 3845 498 738 【解析】【分析】（1）Si的原子序數(shù)是14，Mg的原子序數(shù)是12，根據(jù)核外電子排布式確定它們的價(jià)電子排布式；（2）H2C=C=CH2端位碳原子，形成3個(gè)鍵，沒(méi)有孤電子對(duì)；同一周期，從左到右，電負(fù)性依次增強(qiáng)，同一主族，從上到下電負(fù)性依次減弱；（3）Mg的第一電離能為氣態(tài)Mg原子失去第一個(gè)電子時(shí)需要吸收的能量；由1molO2分子變成O原子的過(guò)程中，需要吸收的能量為(2492)kJ；晶格能是氣態(tài)離子形成1mol離子晶體釋放的能量；（6）Mg2Si晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，利用均攤法找出晶胞中有8個(gè)Mg，有4個(gè)Si，然后進(jìn)行相關(guān)計(jì)算，求出晶胞參數(shù)a。【詳解】（1）Si的原子序數(shù)是14，價(jià)電子排布式為3s23p2；Mg的原子序數(shù)是12，位于第三周期，故最高能層符號(hào)為M；（2）H2C=C=CH2端位碳原子，形成3個(gè)鍵，沒(méi)有孤電子對(duì)，故雜化類型為sp2，所涉及的元素中，電負(fù)性最小的是Mg； A．Mg2C3中的C32離子和H2C=C=CH2中均存在σ鍵，A不符合題意；B．Mg2C3和H2C=C=CH2中均不存在配位鍵，B符合題意；C．Mg2C3和H2C=C=CH2中均不存在氫鍵，C符合題意；D．Mg2C3中的C32離子和H2C=C=CH2中均存在π鍵，D不符合題意；答案選BC；（3）結(jié)合圖像，晶格能是氣態(tài)離子形成1mol離子晶體釋放的能量，MgO的晶格能為3845kJmol1；由1molO2分子變成O原子的過(guò)程中，需要吸收的能量為(2492)kJ=498kJ；Mg的第一電離能為氣態(tài)Mg原子失去第一個(gè)電子時(shí)需要吸收的能量為738 kJmol1；（4）Mg2Si晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，Mg在頂點(diǎn)、面心、棱上和體心，利用均攤法計(jì)算出晶胞中含有的Mg為：=8，Si在晶胞內(nèi)部，有4個(gè)，(a107 )3NA=248+284，a= nm?！军c(diǎn)睛】（1）認(rèn)真分析分子、離子中含有的化學(xué)鍵，以及熟練掌握相應(yīng)幾種元素第一電離能、電負(fù)性大小比較；（2）從所給圖形中提取信息；（3）根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)，采用均攤法，計(jì)算出晶胞中所含的原子或離子個(gè)數(shù)，然后進(jìn)行相關(guān)計(jì)算。