巖石礦物樣品成分分析法(編輯修改稿)
2025-07-22 02:33 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 晶表面，射線與O, P, R處的原子作用而產(chǎn)生散射。如果距離：AP + PC = nλ其中n為整數(shù)，則散射的輻射會在OCD同相，晶體看起來像是反射X射線。又知道AP = PC = d sinθ其中d為結(jié)晶的平面距離，因此可得出光束在θ角的建設(shè)性干涉條件為：nλ= 2d sinθ (Bragg diffraction law)只有在入射角滿足sinθ= nλ/2d時，X射線像是被晶體反射，其他角度都是破壞性干涉。?X射線繞射分析：將物質(zhì)研磨成細粉，測定此細粉的X射線繞射情形，鑑定物質(zhì)結(jié)晶型態(tài)的簡便方法，稱為粉末繞射。根據(jù)粉末繞射光譜，可以鑑定結(jié)晶性物質(zhì)。由光譜上之各繞射角，就可以根據(jù)Bragg diffraction law，算出結(jié)晶中所有組面的垂直距離。再者，結(jié)晶上各面原子密度不同，則各面繞射時的強度也就不同，因此由一粉末繞射光譜中，各光譜線的強弱和位置，就可以鑑定某一結(jié)晶物質(zhì)的存在。若樣品是很多種結(jié)晶性物質(zhì)的混合物，各成分的繞射光譜均可觀察的到。光譜線的強度，大致與各成分的含量成正比。因此，X射線粉末繞射光譜也可以作各結(jié)晶成分的定量分析；不過精確度不高。應(yīng)用：(1) 判別結(jié)晶物質(zhì)中原子的間隔與排列，對金屬、高分子物質(zhì)和
語文相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1